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存储芯片

TH58NVT2T24BAEFH 铠侠2Tb QLC NAND Flash 现货供应

型号:TH58NVT2T24BAEFH 品牌:Kioxia 封装:BGA-162 发布时间:2026-10-06
铠侠KIOXIATH58NVT2T24BAEFH是2Tb容量QLCNANDFlash,BiCS53D工艺,BGA-162封装,8位并行+ToggleDDR接口,面向大容量消费存储与企业级分层存储。

商品概述

铠侠KIOXIA TH58NVT2T24BAEFH是2Tb容量QLC NAND Flash,BiCS5 3D工艺,BGA-162封装,8位并行+Toggle DDR接口,面向大容量消费存储与企业级分层存储。QLC颗粒凭借低成本高密度优势快速渗透,NAND合约价Q3预计上涨10%~15%,大容量颗粒现货持续走强,辰芯伟业现货供应。

核心参数

项目参数
型号TH58NVT2T24BAEFH
品牌Kioxia
类型存储芯片
封装BGA-162
容量2Tb(256GB)
类型QLC NAND Flash(BiCS5)
接口8位并行Toggle DDR
电压1.2V核心/2.5V IO
封装BGA-162
特性大容量高密度低成本
价格趋势Q3 NAND闪存合约价预计环比上涨10%~15%,QLC渗透加速(TrendForce 2026-09)

应用场景

  • 电池供电与便携设备:智能表计、可穿戴、便携医疗等长续航场景
  • 数据存储:程序存储、数据记录、固件承载
  • 工业存储:工控设备、监控设备、工业终端存储

商品特性

  • 铠侠原厂正品,BGA-162封装
  • 2Tb QLC BiCS5,大容量高密度
  • NAND Q3合约价预计涨10%~15%
  • 大容量颗粒现货持续走强

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