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功率器件

IRFR5505TRLPBF 英飞凌P沟道MOSFET -55V -18A TO-252

型号:IRFR5505TRLPBF 品牌:Infineon 封装:TO-252 (DPAK) 发布时间:2026-08-19
InfineonIRFR5505TRLPBF是一款P沟道功率MOSFET,TO-252(DPAK)封装,耐压-55V,连续漏极电流-18A,导通电阻RDS(on)典型100mΩ@VGS=-10V。

商品概述

Infineon IRFR5505TRLPBF 是一款P沟道功率MOSFET,TO-252(DPAK)封装,耐压-55V,连续漏极电流-18A,导通电阻RDS(on)典型100mΩ@VGS=-10V。该器件常用于Buck-Boost、H桥、负载开关、电池保护等需要高端P沟道开关的电路。当前英飞凌MOSFET交期维持24-32周,P沟道中大功率型号现货紧俏。

核心参数

项目参数
类型P沟道功率MOSFET
漏源耐压-55V
连续漏极电流-18A @ 25°C
导通电阻100mΩ @ VGS=-10V
栅极阈值电压-2V ~ -4V
封装TO-252 (DPAK)
工作温度-55°C ~ 175°C
价格趋势参考价¥2.8-5.5/颗,进口P管现货溢价(LinkedIn市场更新 2026-08-19)

应用场景

- H桥驱动:电机正反转控制的高端开关
- 电池保护:锂电池组高端保护开关
- DC-DC转换器:Buck-Boost同步整流高端管

相关型号现货

型号品牌分类说明
IPA60R600E6Infineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
BAT54Sonsemi/安森美功率器件同系列在售现货,可替代询价
PESD1CANNexperia/安世功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

- P沟道功率MOSFET,耐压-55V,连续漏极电流-18A
- 低导通电阻RDS(on) 100mΩ@VGS=-10V
- TO-252贴片封装,散热性能好,适合中功率开关
- 快速开关特性,适合DC-DC同步整流高端开关
- 符合AEC-Q101标准可选,车规应用可靠
- 国产替代:华润微CRFR5505、士兰微SVF5505可替代
- MOSFET交期英飞凌维持24-32周,P沟道中大功率型号现货紧俏(LinkedIn市场更新 2026-08-19)

相关型号现货

型号品牌分类
IPA60R600E6Infineon/英飞凌功率器件
BAT54Sonsemi/安森美功率器件
PESD1CANNexperia/安世功率器件

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