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功率器件

IRF7821TRPBF 英飞凌N沟道MOSFET 30V 14A SO-8

型号:IRF7821TRPBF 品牌:Infineon 封装:SO-8 (SOIC-8) 发布时间:2026-08-19
InfineonIRF7821TRPBF是一款30V/14AN沟道功率MOSFET,SO-8封装,导通电阻低至6.5mΩ@VGS=10V。

商品概述

Infineon IRF7821TRPBF 是一款30V/14A N沟道功率MOSFET,SO-8封装,导通电阻低至6.5mΩ@VGS=10V。其低Qg与低RDS(on)特性使其成为同步Buck降压、负载开关、电池保护等高密度电源设计的理想选择。当前30V N沟道MOSFET供应偏紧,服务器与AI电源领域需求持续旺盛。

核心参数

项目参数
类型N沟道功率MOSFET
漏源耐压30V
连续漏极电流14A @ 25°C
导通电阻6.5mΩ @ VGS=10V
栅极电荷Qg18nC(典型)
封装SO-8
工作温度-55°C ~ 175°C
价格趋势参考价¥2.5-4.8/颗,低电压N管供应紧张(华强电子网 2026-08-19)

应用场景

- 同步Buck降压:CPU/GPU核心供电、POL电源
- 负载开关:电池供电设备的电源路径切换
- 电机驱动:小功率直流电机H桥低端开关

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型号品牌分类说明
IKW40N60H3Infineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
IPA60R600E6Infineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
BAT54Sonsemi/安森美功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

- N沟道功率MOSFET,耐压30V,连续漏极电流14A
- 极低导通电阻RDS(on) 6.5mΩ@VGS=10V
- SO-8贴片封装,适合高密度PCB布局
- 快速开关速度,适合同步Buck降压转换器
- 低栅极电荷Qg,降低驱动损耗
- 国产替代:华润微CRML7002、新洁能NCE30H14K可替代
- 英飞凌30V N管供应偏紧,服务器/AI电源领域需求旺盛(华强电子网 2026-08-19)

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