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功率器件

INN650DA04B 英诺赛科650V GaN功率管现货 现货供应

型号:INN650DA04B 品牌:Innoscience 封装:DFN-8x8 发布时间:2026-10-08
INN650DA04B是英诺赛科INN650D系列GaN功率晶体管,650V耐压,DFN-8x8封装,导通电阻约40mΩ档,开关频率可以做到传统硅MOS的十倍以上,在快充电源、图腾柱PFC与伺服驱动里是提升功率密度的利器。

商品概述

INN650DA04B是英诺赛科INN650D系列GaN功率晶体管,650V耐压,DFN-8x8封装,导通电阻约40mΩ档,开关频率可以做到传统硅MOS的十倍以上,在快充电源、图腾柱PFC与伺服驱动里是提升功率密度的利器。英诺赛科是全球出货量最大的GaN功率器件厂商,累计出货已突破10亿颗,8英寸硅基GaN产线成本优势明显。GaN快充2026年渗透率升至35%,上量势头正猛。辰芯伟业现货充足,方案厂可提供驱动参考设计。

核心参数

项目参数
型号INN650DA04B
品牌Innoscience
类型功率器件
封装DFN-8x8
电压等级650V
导通电阻约40mΩ档
封装DFN-8x8(双面散热)
开关特性无反向恢复电荷,高频低损耗
工作温度-40℃~+150℃
工艺8英寸硅基GaN-on-Si
价格趋势GaN功率器件需求爆发,渗透率升至35%(来源:WOWOHCOOL 2026),现货价平稳走量

应用场景

  • 功率转换:开关电源、逆变器、功率变换电路
  • 电机驱动:电机控制、驱动电路、执行机构

商品特性

  • 英诺赛科原厂授权渠道现货,累计出货超10亿颗供应稳定
  • 8英寸硅基GaN成本优势,比海外GaN方案价格更友好
  • 现货库存充足,支持方案厂小批量验证到量产
  • GaN快充2026年渗透率升至35%(来源:WOWOHCOOL 2026),英诺赛科累计出货破10亿颗,GaN功率管需求爆发

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型号品牌分类
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