INN650DA04 650V GaN功率器件 现货供应

商品概述

INN650DA04是英诺赛科推出的650V增强型氮化镓功率器件，采用DFN封装。该芯片具有超低导通电阻、超快开关速度、无反向恢复电荷等特点，适合高频高效开关电源，广泛应用于65W-240W氮化镓快充、数据中心电源、LED驱动等。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商，590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供，INN650DA04全系列封装齐全，可承接中小批量订单与大单锁货需求，支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件，部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

应用场景

• 电源设计：开关电源、适配器、终端供电电路
• 工业电源：工业设备供电、电源模块、配电系统

商品特性

• 类型： 增强型GaN HEMT
• 耐压VDS： 650V
• RDS(on)： 典型240mΩ
• 封装： DFN 5mm×6mm
• Innoscience/英诺赛科品牌原厂保障，品质稳定可靠
• 2026年9月氮化镓快充市场持续火热，英诺赛科GaN器件出货量大增，现货紧俏，数据来源：华强电子网/新闻热点 2026.09

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