SCT3080ALHR是罗姆第四代SiC MOSFET,1200V,Rds(on)约80mΩ。TO-247-4L开尔文源极封装降低开关环路寄生电感。短路承受10μs。罗姆2026 PCIM展示第五代EcoSiC(高温导通电阻降低约30%),7月起提供样品。SiC MOSFET紧缺榜第3名,交期45-62周。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压 | 1200V |
| Rds(on) | ~80mΩ |
| 连续漏极电流 | ~30A@100°C |
| 短路承受 | 10μs |
| 封装 | TO-247-4L开尔文源极 |
| 认证 | AEC-Q101 |
| 工作温度 | -55°C~+175°C |
| 价格趋势 | SiC MOSFET紧缺榜第3名交期45-62周第五代即将出样 |
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IRS2184SPBF | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| IKW75N65EH7 | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| C3M0075120D | Wolfspeed/科锐 | 功率器件 |
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