功率器件

IMW120R045M1 英飞凌CoolSiC 1200V 现货供应

型号：IMW120R045M1 品牌：Infineon 封装：TO-247-3 发布时间：2026-08-24

IMW120R045M1是英飞凌CoolSiC第二代SiCMOSFET，1200V/45mΩ。

商品概述

IMW120R045M1是英飞凌CoolSiC第二代SiC MOSFET，1200V/45mΩ。TO-247-3封装，优化体二极管实现超低反向恢复损耗。英飞凌2026 PCIM推出首款205°C运行1300V SiC模块创行业温度纪录。TSJ沟槽超结1200V ID-PAK进入现代汽车下一代EV试产。SiC MOSFET紧缺榜第2名，交期48-60周。

核心参数

项目	参数
耐压	1200V
Rds(on)	45mΩ
连续漏极电流	~36A@25°C
技术	CoolSiC G2沟槽栅
封装	TO-247-3
认证	AEC-Q101
工作温度	-55°C~+175°C
价格趋势	SiC MOSFET紧缺榜第2名交期48-60周英飞凌205°C创纪录

应用场景

功率转换：开关电源、逆变器、功率变换电路
电机驱动：电机控制、驱动电路、执行机构

相关型号现货

型号	品牌	分类	说明
PESD1CAN	Nexperia/安世	功率器件	同系列在售现货，可替代询价
SMBJ6.0CA	Littelfuse/力特	功率器件	同系列在售现货，可替代询价
IRL3705NPBF	Infineon/英飞凌	功率器件	同系列在售现货，可替代询价

商品特性

英飞凌CoolSiC G2 1200V/45mΩ
TO-247-3工业标准封装
优化体二极管低反向恢复损耗
英飞凌205°C SiC模块创行业纪录
SiC MOSFET紧缺榜第2名交期48-60周
辰芯伟业现货供应

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型号	品牌	分类
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IMW120R045M1 现货询价 · 支持小批量与大批量采购 · 可提供原厂渠道证明与批次溯源

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产品动态

LT3508EFE#TRPBF - ADI

分类：电源管理 IC

<p>ADI（原 Linear Technology）LT3508 是一款高性能四通道同步降压型 DC-DC 转换器芯片，输入电压范围 3.6V 至 36V，每个通道可提供高达 2A 的连续输出电流。芯片内置四个独立的高效降压调节器，开关频率可编程设置（250kHz-2.5MHz），支持外部时钟同步。采用 TSSOP-28 封装，适用于多路电源轨系统、汽车电子、工业控制等需要多路高效电源转换的应用场景。LT3508 具备过流保护、过温关断、Power Good 输出等完善的保护功能，是紧凑型多路电源设计的理想选择。</p><h3 style="margi

LTC4162EUFD-L42M - ADI

分类：电源管理 IC

<p>ADI LTC4162EUFD-L42M 是一款高集成度的同步降压型 PowerPath 电池充电管理芯片，支持 4.2V 锂离子/锂聚合物电池充电。芯片内置 3A 同步降压充电器，输入电压范围 4.5V-36V，具备最大功率点跟踪（MPPT）功能，适用于太阳能等能量收集应用。集成 I²C 推送通知（PUSH）接口，可实时监控充电状态、电池电压/电流/温度。采用 QFN-32 封装，广泛应用于便携式医疗设备、工业传感器、IoT 节点和太阳能充电系统。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;&qu

LTC7801EUFD#TRPBF - ADI

分类：电源管理 IC

<p>ADI LTC7801 是一款高性能 150V 同步降压型 DC-DC 控制器，输入电压范围 5V-150V，支持谷底开关（Valley Switching）技术以降低开关损耗。芯片内置强大的栅极驱动器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET，输出电流能力仅受外部 MOSFET 限制。开关频率可编程设置（100kHz-650kHz），支持 Bypass 模式（100% 占空比）以实现低压差操作。采用 QFN-32 封装，广泛应用于汽车 48V 系统、工业电源、LED 照明驱动和通信基站电源。</p><h3 style="margin:20px 0 8p

MAX1978ETM+T - ADI

分类：电源管理 IC

<p>ADI（原 Maxim）MAX1978 是一款全集成无刷直流（BLDC）风扇电机驱动芯片，内置 PWM 速度控制、H 桥功率驱动和霍尔传感器接口。芯片支持 5V-12V 供电，最大驱动电流 1.5A，集成过流、过温和堵转保护功能。采用 TQFP-48 封装，适用于服务器散热风扇、工控设备风扇、汽车空调鼓风机等无刷直流风扇驱动场景。MAX1978 具有超低噪声驱动能力，支持软启动和转速反馈，是高性能散热风扇控制的理想方案。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心参数<

LM5050Q1MKX-1/NOPB - TI

分类：电源管理 IC

<p>德州仪器（TI）LM5050Q1MKX-1 是一款汽车级认证（AEC-Q100）的高侧 ORing MOSFET 控制器，用于实现理想二极管功能。芯片驱动外部 N 沟道 MOSFET，正向压降仅 25mV，有效降低功耗和发热。输入电压范围 5V-75V，支持电源冗余和负载分享应用。采用 SOT-23-6 微型封装，适用于汽车 12V/24V 电源系统、电信基站冗余电源、服务器电源 ORing 等需要高可靠性电源切换的场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心参数<

UCC256402DDBR - TI

分类：电源管理 IC

<p>德州仪器（TI）UCC256402DDBR 是一款高性能 LLC 谐振半桥控制器芯片，专为高效率隔离式 DC-DC 电源转换设计。芯片支持 40kHz-350kHz 开关频率，采用电流模式控制实现快速瞬态响应。内置 Burst Mode 功能以提升轻载效率，具备过流保护、过压保护和过温保护等完善的保护机制。采用 SOIC-14 封装，广泛应用于 LED 照明驱动电源、服务器电源、通信电源适配器和工业电源等大功率高效隔离式电源系统。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心参

LM5164DDAR - TI

分类：电源管理 IC

<p>德州仪器（TI）LM5164DDAR 是一款 100V 超宽输入隔离型反激式（Flyback）DC-DC 转换器芯片，集成原边控制器和副边同步整流驱动。输入电压范围 3V-100V，输出功率最高 15W，开关频率固定 300kHz。芯片采用变压器原边反馈（PSR）技术，无需光耦即可实现精确的输出电压调节，大幅提升隔离电源的可靠性。采用 SOIC-8 封装，适用于工业自动化、汽车电子、医疗设备和通信设备等需要隔离式电源的应用。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心参数&l

ISL99390FRZ-TR5935 - Renesas

分类：电源管理 IC

<p>Renesas（原 Intersil）ISL99390 是一款高性能数字控制多相 PWM 降压控制器，支持 2 相至 8 相并联配置，专为高电流低压电源转换设计。芯片通过 PMBus 接口实现全面的数字控制，支持电压/电流/温度实时监控、自适应相位管理和动态电压定位（DVP）。输入电压范围 4.5V-25V，输出电压可编程 0.25V-5.5V，开关频率可设置 200kHz-2MHz。采用 HTQFP-48 封装，广泛应用于服务器 VR、AI 加速器供电、数据中心电源和通信基站电源等大电流应用。</p><h3 style="margin:20px

ADM2587EBRWZ-REEL7 - ADI

分类：接口芯片

<p>ADI ADM2587EBRWZ 是一款完全集成的信号和电源隔离型 RS-485/RS-422 收发器芯片，内置隔离型 DC-DC 转换器，无需外部隔离电源即可工作。芯片提供 5kVrms 的隔离耐压，数据传输速率高达 500kbps，支持半双工通信。内置 ESD 保护（±8kV IEC 61000-4-2），具备过流和过温保护。采用 SOIC-16W 宽体封装，广泛应用于工业自动化、PLC 通信、电力计量、新能源逆变器和医疗设备等需要高可靠性隔离通信的场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172

RTL8153B-VB-CG - Realtek

分类：接口芯片

<p>Realtek RTL8153B-VB-CG 是一款 USB 3.0 转 Gigabit Ethernet 千兆网络控制器芯片，支持 10/100/1000Mbps 自适应以太网。芯片通过 USB 3.0 SuperSpeed 接口（5Gbps）连接主机，实现千兆以太网接入，向下兼容 USB 2.0。内置高效 MAC/PHY 集成设计，支持 IEEE 802.3az 节能以太网（EEE）、TCP/IP 卸载引擎（Checksum Offload、TSO）以降低 CPU 占用。采用 QFN-32 封装，广泛应用于 USB 网卡扩展坞、Type-C 扩展坞、工控机网络接口、嵌入式

OPA376AIDCKR - TI

分类：模拟器件

<p>德州仪器（TI）OPA376AIDCKR 是一款超低噪声、低失调电压的精密 CMOS 运算放大器。芯片带宽 5.5MHz，压摆率 2V/μs，最大失调电压仅 5μV，失调漂移 0.2μV/°C。静态电流仅 950μA/channel，支持 2.2V-5.5V 单电源供电。采用 SOT-23-5 微型封装，广泛应用于精密医疗仪器、传感器信号调理、数据采集系统、电池供电设备和音频信号处理等需要高精度低噪声放大的场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心参数</h3&

INA226AIDGSR - TI

分类：模拟器件

<p>德州仪器（TI）INA226AIDGSR 是一款高精度数字电流/电压/功率监控芯片，支持 36V 共模电压测量。芯片集成 16 位 ADC，可实现 0.1% 精度的电流和功率测量，通过 I²C/SMBus 接口输出数字数据。可同时测量分流电压、总线电压和计算功率/电流，内置可编程校准寄存器和告警阈值。采用 VSSOP-10 封装，广泛应用于服务器电源监控、电池管理系统、电信基站电源、工业控制和新能源汽车等需要精确电流功耗监控的场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心

PSMN2R3-100SSEJ - NXP

分类：功率器件

<p>NXP 半导体 PSMN2R3-100SSEJ 是一款高性能 100V N 沟道功率 MOSFET，采用 Trench 技术实现超低导通电阻（典型值 2.3mΩ @ VGS=10V）。芯片最大漏极电流 171A，功耗 386W，栅极电荷仅 138nC，优化了开关损耗和导通损耗的平衡。采用 D2PAK（TO-263）封装，具备优异的热性能。广泛应用于 DC-DC 同步整流、电机驱动、ORing 二极管替代、电源管理和逆变器等高效率功率转换场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;"&

TDA21590 - Infineon

分类：功率器件

<p>英飞凌（Infineon）TDA21590 是一款集成了驱动器和两个 N 沟道 MOSFET 的半桥功率级 IC（DrMOS），工作电压范围 4.5V-28V，支持最高 60A 连续输出电流。芯片采用 OptiMOS 技术，导通电阻低至 2.0mΩ，开关频率支持 500kHz-1.5MHz。内置过流保护、过温关断和 UVLO 等保护功能，支持 3.3V/5V PWM 输入。采用 PG-HSOF-12 封装，适用于服务器 VRM、AI 加速器供电、通信基站电源和高性能 DC-DC 转换器等大电流应用。</p><h3 style="margin:20p

IRF540NPBF - Infineon

分类：功率器件

<p>英飞凌（原 IR）IRF540NPBF 是业界最经典的 100V N 沟道功率 MOSFET 之一，导通电阻典型值 44mΩ @ VGS=10V，最大漏极电流 33A。芯片采用 TO-220AB 封装，功耗 94W，具备优异的开关性能和可靠性。广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源开关、逆变器、负载开关和照明驱动等各类功率电子场景。IRF540N 凭借其成熟的工艺、稳定的质量和极具竞争力的价格，是通用功率开关应用的首选器件。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心

NCV8402ASTT1G - ON

分类：功率器件

<p>ON Semiconductor NCV8402ASTT1G 是一款自保护智能低侧功率开关，集成 40V N 沟道 MOSFET 和完善的保护电路。芯片内置过流保护、过温关断、ESD 保护和反接保护，导通电阻典型值 90mΩ @ VGS=10V，最大电流 2.5A。采用 SOT-223 封装，无需外部保护元件即可实现高可靠性功率开关功能。广泛应用于汽车电子（LED 照明驱动、雨刷电机、门锁驱动）、工业控制和消费电子等需要内置保护功能的负载驱动场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;&quo

TB6560AHQ(O,8) - Toshiba

分类：电源管理 IC

<p>东芝（Toshiba）TB6560AHQ 是一款高性能双极性步进电机驱动芯片，支持最高 3.5A/相的驱动电流，工作电压范围 10V-35V。芯片内置 PWM 恒流斩波控制，支持 2 相/W1-2 相/2W1-2 相/4W1-2 相四种励磁模式，可实现精细的步距角细分。内置过热关断和过流保护功能。采用 HQFP-44 封装，广泛应用于数控机床（CNC）、3D 打印机、自动化设备、机器人关节和精密定位平台等步进电机驱动场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心参数<

TB6600HG(O) - Toshiba

分类：电源管理 IC

<p>东芝（Toshiba）TB6600HG 是一款高性能 PWM 恒流控制双极性步进电机驱动芯片，工作电压范围 12V-50V，支持最高 4.5A/相的驱动电流。芯片支持 2 相/W1-2 相/2W1-2 相/4W1-2 相四种励磁模式，内置过热检测和过流保护。采用 HZIP-25 封装，具备优异的散热性能。相比 TB6560，TB6600 提供更高的电压和电流能力，广泛应用于大功率 CNC 数控机床、工业机器人、自动化生产线和精密定位设备等需要大功率步进电机驱动的场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0

TB67S109AFTG - Toshiba

分类：电源管理 IC

<p>东芝（Toshiba）TB67S109AFTG 是一款双 H 桥直流电机驱动芯片，支持两路直流有刷电机或一台步进电机驱动。工作电压范围 4.5V-34V，每通道最大驱动电流 4A，支持 PWM 速度控制。内置过热关断、过流保护和低压检测等保护功能。采用 QFP-48 封装，支持衰减模式选择（快衰减/慢衰减/混合衰减）。广泛应用于机器人底盘驱动、智能小车、无人机云台、打印机/扫描仪电机驱动和游戏外设等直流电机驱动场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心参数</h

VNH7100BASTR - ST

分类：电源管理 IC

<p>ST 意法半导体 VNH7100BASTR 是一款汽车级全桥功率驱动器芯片，集成 N 沟道功率 MOSFET 和控制逻辑。工作电压范围 4.5V-41V，最大持续电流 15A，支持 PWM 速度控制。内置 SPI 诊断接口，可实时反馈过温、过流、短路和开路负载等故障状态。采用 PowerSSO-36 封装，具备优异的热性能。广泛应用于汽车电子如电动车窗、雨刷电机、座椅调节、风扇控制以及工业电机驱动等需要高可靠性全桥驱动的场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心参数&

STM32F030K6T6 - ST

分类：MCU 微控制器

<p>ST 意法半导体 STM32F030K6T6 是一款基于 ARM Cortex-M0 内核的 32 位入门级微控制器，主频 48MHz，拥有 32KB Flash 和 4KB SRAM。芯片提供 26 个 GPIO、5 个定时器、1 个 ADC（12位）以及 SPI/I²C/USART 等常用通信接口。采用 LQFP-32 封装，工作电压 2.4V-3.6V。STM32F030 系列以超高性价比著称，是 8 位单片机升级到 32 位的理想选择，广泛应用于小家电控制、消费电子、传感器节点和简单工业控制等成本敏感型应用。</p><h3 style="m

STM32F103VCT6 - ST

分类：MCU 微控制器

<p>ST 意法半导体 STM32F103VCT6 是一款基于 ARM Cortex-M3 内核的高性能 32 位微控制器，主频 72MHz，拥有 256KB Flash 和 48KB SRAM。芯片提供 80 个 GPIO、8 个定时器、3 个 ADC（12位）以及 SPI/I²C/USART/USB/CAN 等丰富通信接口。采用 LQFP-100 封装，提供更多 GPIO 和外设资源，适用于需要大量 IO 和复杂通信的工业控制、医疗设备、电机驱动和人机交互等应用场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F

STM32F405RGT6 - ST

分类：MCU 微控制器

<p>ST 意法半导体 STM32F405RGT6 是一款基于 ARM Cortex-M4F 内核的高性能 32 位微控制器，主频高达 168MHz，拥有 1MB Flash 和 192KB SRAM（含 64KB CCM 数据 RAM）。芯片集成浮点运算单元（FPU）和 DSP 指令集，提供 3×12位 ADC、2×12位 DAC、SPI/I²S/I²C/USART/USB OTG（HS）/CAN 等丰富外设。采用 LQFP-64 封装，适用于无人机飞控、电机驱动、工业自动化、音频处理和高端消费电子等需要高性能计算的应用。</p><h3 style="

STM32H743VIT6 - ST

分类：MCU 微控制器

<p>ST 意法半导体 STM32H743VIT6 是 STM32 家族中性能最强的微控制器之一，基于 ARM Cortex-M7 内核，主频高达 480MHz，CoreMark 性能高达 2402 分。芯片拥有 2MB Flash 和 1MB SRAM（含 128KB DTCM + 64KB ITCM），集成双精度浮点运算单元和 L1 缓存（16KB I-Cache + 16KB D-Cache）。提供丰富的外设：2×ADC（16位）、2×DAC、USB OTG HS、以太网MAC、SPI/I²S/I²C/USART/CAN等。采用 LQFP-100 封装，适用于高端工业控制、边

LIS3DHTR - ST

分类：传感器

<p>ST 意法半导体 LIS3DHTR 是一款超低功耗三轴 MEMS 加速度传感器，量程可选 ±2g/±4g/±8g/±16g，12 位分辨率。芯片支持 1Hz-5.3kHz 可配置输出数据速率，低功耗模式下仅 2μA 电流。内置 32 级 FIFO 缓存、单击/双击检测、自由落体检测和 4D/6D 方向识别等智能功能。采用 LGA-12 封装（2×2×1mm），工作温度 -40°C 至 +85°C。广泛应用于智能手机屏幕旋转、计步器、跌倒检测、IoT 节点姿态感知和工业震动监测等场景。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;

LIS2DH12TR - ST

分类：传感器

<p>ST 意法半导体 LIS2DH12TR 是一款超低功耗三轴 MEMS 加速度传感器，是 LIS3DH 的升级版。量程可选 ±2g/±4g/±8g/±16g，12 位分辨率输出。芯片在低功耗模式下仅消耗 2μA 电流，支持 1Hz-5.376kHz 可配置输出数据速率。内置 32 级 FIFO、单击/双击检测、6D 方向识别和活动/非活动检测功能。采用 LGA-12 封装（2×2×1mm），是电池供电的可穿戴设备、IoT 传感器和智能手表等超低功耗应用的理想选择。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F17

LSM6DSRTR - ST

分类：传感器

<p>ST 意法半导体 LSM6DSRTR 是一款高性能六轴惯性测量单元（IMU），集成三轴加速度计和三轴陀螺仪。加速度计量程 ±2g/±4g/±8g/±16g，陀螺仪量程 ±125/±250/±500/±1000/±2000 dps。芯片支持高性能模式（6.8mA）和低功耗模式（0.55mA），内置 9KB FIFO、计步器、倾斜检测、自由落体检测、6D 方向识别等智能功能。采用 LGA-14 封装（2.5×3×0.83mm），广泛应用于智能手机防抖、AR/VR 头显、无人机姿态控制、机器人导航和运动追踪等场景。</p><h3 style="margi

LSM6DSV16XTR - ST

分类：传感器

<p>ST 意法半导体 LSM6DSV16XTR 是最新一代高性能六轴 IMU 惯性模块，集成三轴加速度计和三轴陀螺仪。加速度计量程 ±2g/±4g/±8g/±16g，陀螺仪量程 ±125~±2000 dps。芯片内置创新的人工智能智能活动识别（ISA）引擎和有限状态机（FSM），可在芯片端直接实现活动分类（步行/跑步/骑车/静止等），无需 MCU 介入，大幅降低系统功耗。采用 LGA-14 封装（2.5×3×0.83mm），是智能手表、AR 眼镜、TWS 耳机、运动健康追踪等可穿戴设备的理想选择。</p><h3 style="margin:20px 0

ICM-42607-P - TDK

分类：传感器

<p>TDK InvenSense ICM-42607-P 是一款超高性能六轴 IMU 惯性模块，集成三轴加速度计和三轴陀螺仪。加速度计噪声密度低至 70μg/√Hz，陀螺仪噪声密度 0.0035 dps/√Hz，数据输出速率最高 32kHz。芯片支持 APEX 运动处理功能（计步、倾斜检测、自由落体、wake/sleep），内置 2KB FIFO。采用 LGA-14 封装（2.5×3×0.83mm），凭借超低噪声和高速输出特性，广泛应用于高端智能手机 OIS/EIS 防抖、工业级 IMU 模块、无人机高精度飞控、机器人导航和精密运动追踪等专业应用。</p><h3

5CEFA9F23I7N - Intel

分类：FPGA-CPLD

<p>Intel（原 Altera）5CEFA9F23I7N 是 Cyclone V 系列中高端 FPGA 芯片，基于 28nm 低功耗工艺。芯片拥有 85,000 个逻辑单元（LE），集成基于 ARM Cortex-A9 的 HPS（硬件处理器系统），双核 MPCore 处理器运行频率 925MHz。提供 4,450 个 18×18 乘法器、6,144 个 M10K 存储块和 14 个分数分频器（PLL）。采用 FBGA-484 封装，速度等级 23（中等速度），工业级温度范围（-40°C ~ +100°C）。SoC FPGA 架构实现了灵活的硬件可编程逻辑与高性能处理器核的完美

STM32F103C8T6 - ST

分类：MCU 微控制器

<p>ST意法半导体 STM32F103C8T6 是一款基于 ARM Cortex-M3 内核的 32 位微控制器，主频高达 72MHz，拥有 64KB Flash 和 20KB SRAM。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心参数</h3><table class="pn-spec-table" style="width:100%;border-collapse:collapse;margin:12px 0;font-size

STM32F407VGT6 - ST

分类：MCU 微控制器

<p>ST意法半导体 STM32F407VGT6 是一款高性能 ARM Cortex-M4 微控制器。</p><h3 style="margin:20px 0 8px;color:#0F172A;">核心参数</h3><table class="pn-spec-table" style="width:100%;border-collapse:collapse;margin:12px 0;font-size:13px;"><tr><td style="