IMW120R045M1是英飞凌CoolSiC第二代SiC MOSFET,1200V/45mΩ。TO-247-3封装,优化体二极管实现超低反向恢复损耗。英飞凌2026 PCIM推出首款205°C运行1300V SiC模块创行业温度纪录。TSJ沟槽超结1200V ID-PAK进入现代汽车下一代EV试产。SiC MOSFET紧缺榜第2名,交期48-60周。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压 | 1200V |
| Rds(on) | 45mΩ |
| 连续漏极电流 | ~36A@25°C |
| 技术 | CoolSiC G2沟槽栅 |
| 封装 | TO-247-3 |
| 认证 | AEC-Q101 |
| 工作温度 | -55°C~+175°C |
| 价格趋势 | SiC MOSFET紧缺榜第2名交期48-60周英飞凌205°C创纪录 |
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| DSEI30-06A | Littelfuse/IXYS | 功率器件 |
| IRS2184SPBF | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| IKW75N65EH7 | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
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