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快充

INN650TA032AH 650V GaN HEMT 现货 现货供应

型号:INN650TA032AH 品牌:英诺赛科 封装:TO-252 发布时间:2026-10-10
INN650TA032AH是英诺赛科InnoGaN650V功率器件,导阻32毫欧,TO-252封装,零反向恢复电荷,高频开关损耗比硅MOS大幅降低。

商品概述

INN650TA032AH是英诺赛科InnoGaN 650V功率器件,导阻32毫欧,TO-252封装,零反向恢复电荷,高频开关损耗比硅MOS大幅降低。国产GaN龙头英诺赛科产能爬坡,快充与数据中心电源国产化首选。GaN快充渗透率已达35%,国产GaN价格优势让渗透继续加速。

核心参数

项目参数
型号INN650TA032AH
品牌英诺赛科
类型快充
封装TO-252
耐压650V
导阻32毫欧
特性零反向恢复电荷
频率高频开关友好
封装TO-252
应用快充 PFC LLC
价格趋势参考价10-15元/颗(2026-10-10,IC交易网在售报价),国产GaN渗透加速

应用场景

  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 32毫欧650V,国产GaN高频主力规格
  • 零反向恢复,LLC硬开关也稳
  • 国产GaN产能爬坡,交期与价格双优
  • GaN快充渗透率35%仍在爬升,国产料号替代加速,现货充足

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型号品牌分类
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