TP65H035WS 650V 35mΩ GaN FET 工业级 现货供应

Transphorm TP65H035WS 采用 TO-247 封装，定位为650V 35mΩ GaN FET 工业级，主要用于服务器电源、光伏组串逆变与储能双向变流等场景。氮化镓无需体二极管反向恢复，硬开关拓扑效率明显优于硅超结，适合高功率密度电源。安森美10月启动新一轮功率器件提价，功率器件第二轮涨价已由AI电力需求与原厂调价双催化确认，券商判断涨价延续至2027年；2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速约为零（数据来源：电子元器件日报，2026年10月27日）。（数据来源见下方价格趋势与行情说明）

核心参数

应用场景

• 军工与工业级应用：高可靠性工业装备、军工设备、严苛环境
• 电子设备：通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 功率器件第二轮涨价确立，安森美10月再度提价（数据来源：电子元器件日报，2026年10月27日）

如有需求，请联系：13423736244 13603072128 QQ：517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 功率器件第二轮涨价确立，安森美10月再度提价（数据来源：电子元器件日报，2026年10月27日）

相关型号现货