NCE NCE30H11K 采用 TO-252 封装,定位为30V 110A 国产低导通MOSFET,主要用于移动电源同步升压、电动工具调速与锂电池保护板等场景。国产替代型号,参数对标进口同规格产品,价格与交期优势明显,适合消费与工控批量导入。安森美10月启动新一轮功率器件提价,功率器件第二轮涨价已由AI电力需求与原厂调价双催化确认,券商判断涨价延续至2027年;2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速约为零(数据来源:电子元器件日报,2026年10月27日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 漏源电压 | 30V |
| 连续漏极电流 | 110A(Tc=25℃) |
| 导通阻抗 | 2.8mΩ(Vgs=10V) |
| 栅极电荷 | 典型75nC |
| 封装 | TO-252(DPAK) |
| 工作温度 | -55℃至150℃ |
| 特性 | 低栅极电荷,适合高频同步整流 |
| 价格趋势 | 2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速约为零(数据来源:电子元器件日报,2026年10月27日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| TP65H035WS | Transphorm | 功率 |
| C3M0120090D | Wolfspeed | 功率 |
| IMZ120R045M1 | Infineon | 功率 |
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