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功率

NCE30H11K 30V 110A 国产低导通MOSFET 现货供应

型号:NCE30H11K 品牌:NCE 封装:TO-252 发布时间:2026-10-27
NCENCE30H11K采用TO-252封装,定位为30V110A国产低导通MOSFET,主要用于移动电源同步升压、电动工具调速与锂电池保护板等场景。

NCE NCE30H11K 采用 TO-252 封装,定位为30V 110A 国产低导通MOSFET,主要用于移动电源同步升压、电动工具调速与锂电池保护板等场景。国产替代型号,参数对标进口同规格产品,价格与交期优势明显,适合消费与工控批量导入。安森美10月启动新一轮功率器件提价,功率器件第二轮涨价已由AI电力需求与原厂调价双催化确认,券商判断涨价延续至2027年;2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速约为零(数据来源:电子元器件日报,2026年10月27日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
漏源电压30V
连续漏极电流110A(Tc=25℃)
导通阻抗2.8mΩ(Vgs=10V)
栅极电荷典型75nC
封装TO-252(DPAK)
工作温度-55℃至150℃
特性低栅极电荷,适合高频同步整流
价格趋势2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速约为零(数据来源:电子元器件日报,2026年10月27日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 功率器件第二轮涨价确立,安森美10月再度提价(数据来源:电子元器件日报,2026年10月27日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 功率器件第二轮涨价确立,安森美10月再度提价(数据来源:电子元器件日报,2026年10月27日)

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