STP110N8F6 80V 110A N沟道MOSFET 低导通 现货供应

ST STP110N8F6 采用 TO-220 封装，定位为80V 110A N沟道MOSFET 低导通，主要用于48V通信电源、电动车辆低压系统与逆变焊机等场景。意法第八代沟槽工艺，导通阻抗压到4.6mΩ，适合48V系统的同步整流与大电流开关。安森美10月启动新一轮功率器件提价，功率器件第二轮涨价已由AI电力需求与原厂调价双催化确认，券商判断涨价延续至2027年；2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速约为零（数据来源：电子元器件日报，2026年10月27日）。（数据来源见下方价格趋势与行情说明）

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 电子设备：通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 功率器件第二轮涨价确立，安森美10月再度提价（数据来源：电子元器件日报，2026年10月27日）

如有需求，请联系：13423736244 13603072128 QQ：517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 功率器件第二轮涨价确立，安森美10月再度提价（数据来源：电子元器件日报，2026年10月27日）

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