ISSI IS25WP256-JBLE 采用 SOIC-16 封装,定位为256Mb 1.8V SPI NOR Flash,主要用于AIoT模组、可穿戴设备与车载摄像头等场景。IS25WP256采用1.8V供电与133MHz QSPI接口,适合低功耗SoC的代码直接执行,AIoT与可穿戴设备用它做XIP启动介质。三星电子三季度DRAM平均售价环比增20%、NAND增近10%,HBM4销售额环比增超三倍并占HBM总销售额60%,2027年上半年将量产HBM4E;公司重申供给紧张延续至2028年,长期合约锁定60%至70%产能,散单可分配量被进一步压缩(数据来源:三星电子财报说明会与财联社,2026年10月29日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 容量 | 256Mb |
| 接口 | SPI、Dual与Quad,最高133MHz |
| 工作电压 | 1.65V至1.95V |
| 擦写寿命 | 10万次,数据保持20年 |
| 工作温度 | -40℃至105℃ |
| 封装 | SOIC-16 |
| 价格趋势 | 公司重申供给紧张延续至2028年,长期合约锁定60%至70%产能,散单可分配量被进一步压缩(数据来源:三星电子财报说明会与财联社,2026年10月29日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IS25WP128F-JBLE | ISSI芯成半导体 | 存储芯片 |
| IS25WP256D-JBLE | ISSI | 存储芯片 |
| IS25WP064A-JBLE | ISSI | 存储芯片 |
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