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功率

IRLZ44N 55V 47A 逻辑电平N沟道MOSFET 现货供应

型号:IRLZ44N 品牌:Infineon 封装:TO-220 发布时间:2026-11-02
InfineonIRLZ44N采用TO-220封装,定位为55V47A逻辑电平N沟道MOSFET,主要用于直流负载开关、电机调速与LED驱动等场景。

Infineon IRLZ44N 采用 TO-220 封装,定位为55V 47A 逻辑电平N沟道MOSFET,主要用于直流负载开关、电机调速与LED驱动等场景。IRLZ44N是逻辑电平驱动的经典件,栅压4V就能有效导通,单片机直接驱动继电器与直流负载的板子上常年有它,价格便宜且全球渠道通用。英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
类型N沟道逻辑电平MOSFET
耐压55V
电流47A@25℃
导通阻抗22mΩ级别
栅极驱动VGS=4V即可低阻导通
封装TO-220
价格趋势英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

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