FQPF9N50C 500V 9A 隔离型N沟道MOSFET 现货供应

onsemi FQPF9N50C 采用 TO-220F 封装，定位为500V 9A 隔离型N沟道MOSFET，主要用于开关电源、逆变焊机与高压照明等场景。FQPF9N50C用TO-220F全封装把散热与安装绝缘做在一起，500V耐压适配整流后的市电母线，开关电源与逆变焊机的辅助拓扑里常见它的身影。英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年，安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能，功率器件已经从比价格转向比配额（数据来源：芯闻道，2026年10月30日）。（数据来源见下方价格趋势与行情说明）

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 电子设备：通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 安森美头部客户仅七成配额，SiC紧缺预计维持2至3年（数据来源：芯闻道，2026年10月30日）

如有需求，请联系：13423736244 13603072128 QQ：517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 安森美头部客户仅七成配额，SiC紧缺预计维持2至3年（数据来源：芯闻道，2026年10月30日）

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