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SCT3023AL 650V 23A SiC MOSFET 现货供应

型号:SCT3023AL 品牌:Rohm 封装:TO-247 发布时间:2026-11-02
RohmSCT3023AL采用TO-247封装,定位为650V23ASiCMOSFET,主要用于伺服驱动、工业电源与储能PCS等场景。

Rohm SCT3023AL 采用 TO-247 封装,定位为650V 23A SiC MOSFET,主要用于伺服驱动、工业电源与储能PCS等场景。Rohm自产SiC工艺的量产型号,650V平台23A电流,导通阻抗80mΩ级别,日本系设备与电源客户用它做高频化改造,交期与价格相对欧美原厂友好。英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
类型SiC MOSFET
耐压650V
电流23A级
导通阻抗约80mΩ
开关频率支持高频开关拓扑
封装TO-247
价格趋势英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

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