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功率

NTH4L040N065SC1 650V SiC MOSFET 40mΩ 现货供应

型号:NTH4L040N065SC1 品牌:onsemi 封装:TO-247 发布时间:2026-11-02
onsemiNTH4L040N065SC1采用TO-247封装,定位为650VSiCMOSFET40mΩ,主要用于车载充电机、充电桩模块与光伏储能等场景。

onsemi NTH4L040N065SC1 采用 TO-247 封装,定位为650V SiC MOSFET 40mΩ,主要用于车载充电机、充电桩模块与光伏储能等场景。NTH4L040N065SC1是onsemi车规SiC线上的主力量产型号,650V耐压40mΩ导通阻抗,开关损耗比同级IGBT低一半以上,电驱与充电桩客户拿货排期已经拉长。英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
类型SiC MOSFET
耐压650V
电流40A级
导通阻抗40mΩ级别
开关特性开关损耗显著低于同级IGBT
应用车规级拓扑优化设计
封装TO-247系列
价格趋势英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

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