Infineon IRF9530N 采用 TO-220 封装,定位为-100V 14A P沟道MOSFET,主要用于电源防反接、高边开关与音频功放等场景。经典P沟道功率MOSFET,100V耐压与14A电流能力,常用于高边开关与电源防反接,工业设备与音频功放中用量稳定。英飞凌2026年对SiC MOSFET完成两轮调价、累计上涨10%至20%,主流料号交期拉长到26至40周并在业绩说明会上明确实行配额供应;扬杰科技全系列上调10%至15%,功率器件已从比价格转向比配额(数据来源:东方财富与元器件微报,2026年11月2日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压 | -100V |
| 导通阻抗 | 0.2Ohm典型 |
| 漏极电流 | -14A |
| 栅极电荷 | 典型38nC |
| 封装 | TO-220 |
| 最高结温 | 175℃ |
| 驱动电平 | 标准10V栅极驱动 |
| 价格趋势 | 扬杰科技全系列上调10%至15%,功率器件已从比价格转向比配额(数据来源:东方财富与元器件微报,2026年11月2日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IRG7PH42UD | International Rectifier | 功率 |
| SI4435DY-T1-GE3 | Vishay | 功率 |
| NCE10H120 | NCE | 功率 |
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