SI4435DY-T1-GE3 30V 10A P沟道MOSFET 现货供应

Vishay SI4435DY-T1-GE3 采用 SOIC-8 封装，定位为30V 10A P沟道MOSFET，主要用于电源路径管理、DC-DC高边开关与负载开关等场景。威世TrenchFET P沟道器件，SOIC-8封装内实现10A电流能力，低栅极电荷适合高频开关，广泛用于笔记本与适配器的高边控制。英飞凌2026年对SiC MOSFET完成两轮调价、累计上涨10%至20%，主流料号交期拉长到26至40周并在业绩说明会上明确实行配额供应；扬杰科技全系列上调10%至15%，功率器件已从比价格转向比配额（数据来源：东方财富与元器件微报，2026年11月2日）。（数据来源见下方价格趋势与行情说明）

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 电子设备：通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 英飞凌SiC两轮累计涨10%至20%并实行配额供应，主流料号交期26至40周（数据来源：东方财富，2026年11月2日）

如有需求，请联系：13423736244 13603072128 QQ：517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 英飞凌SiC两轮累计涨10%至20%并实行配额供应，主流料号交期26至40周（数据来源：东方财富，2026年11月2日）

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