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快充

EPC2014C 100V 10A 增强型GaN FET 现货供应

型号:EPC2014C 品牌:EPC 封装:LGA 发布时间:2026-11-03
EPCEPC2014C采用LGA封装,定位为100V10A增强型GaNFET,主要用于高密度快充、无线充电与激光雷达等场景。

EPC EPC2014C 采用 LGA 封装,定位为100V 10A 增强型GaN FET,主要用于高密度快充、无线充电与激光雷达等场景。宜普电源转换氮化镓器件,100V耐压与10A电流能力,开关速度远高于硅MOS,用于高功率密度快充与无线充电。GaN快充从分立器件转向集成方案,同步整流控制器与协议芯片国产化率提升;消费终端缩量的背景下,快充料号价格相对平稳,交付周期与协议兼容性是主要变量(数据来源:华强电子网,2026年11月3日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
耐压100V
导通阻抗16mOhm典型
电流10A连续
栅极电荷典型3.4nC
开关速度可支持数MHz
封装LGA
特性无反向恢复电荷
价格趋势消费终端缩量的背景下,快充料号价格相对平稳,交付周期与协议兼容性是主要变量(数据来源:华强电子网,2026年11月3日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 多协议快充集成,外围精简
  • 高效率同步整流,低温升
  • 国产SoC性价比突出
  • 量产方案成熟,导入周期短
  • GaN从分立走向集成,系统成本成为新竞争维度(数据来源:华强电子网,2026年11月3日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 多协议快充集成,外围精简
  • 高效率同步整流,低温升
  • 国产SoC性价比突出
  • 量产方案成熟,导入周期短
  • GaN从分立走向集成,系统成本成为新竞争维度(数据来源:华强电子网,2026年11月3日)

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