EPC EPC2014C 采用 LGA 封装,定位为100V 10A 增强型GaN FET,主要用于高密度快充、无线充电与激光雷达等场景。宜普电源转换氮化镓器件,100V耐压与10A电流能力,开关速度远高于硅MOS,用于高功率密度快充与无线充电。GaN快充从分立器件转向集成方案,同步整流控制器与协议芯片国产化率提升;消费终端缩量的背景下,快充料号价格相对平稳,交付周期与协议兼容性是主要变量(数据来源:华强电子网,2026年11月3日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压 | 100V |
| 导通阻抗 | 16mOhm典型 |
| 电流 | 10A连续 |
| 栅极电荷 | 典型3.4nC |
| 开关速度 | 可支持数MHz |
| 封装 | LGA |
| 特性 | 无反向恢复电荷 |
| 价格趋势 | 消费终端缩量的背景下,快充料号价格相对平稳,交付周期与协议兼容性是主要变量(数据来源:华强电子网,2026年11月3日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| EPC2012C | EPC | 功率 |
| SC8701 | Southchip | 快充 |
| FUSB302BMPX | onsemi | 快充 |
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