EPC2012C 200V 1.7A GaN eGaN FET 现货供应

EPC EPC2012C 采用 LGA 封装，定位为200V 1.7A GaN eGaN FET，主要用于激光雷达驱动、高密度DC-DC与无线充电等场景。EPC2012C是200V耐压的增强型氮化镓器件，没有反向恢复电荷，开关频率可以推到兆赫级，激光驱动与高密度DC-DC客户用它缩小平滑电感。英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年，安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能，功率器件已经从比价格转向比配额（数据来源：芯闻道，2026年10月30日）。（数据来源见下方价格趋势与行情说明）

核心参数

应用场景

• 电子设备：通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 安森美头部客户仅七成配额，SiC紧缺预计维持2至3年（数据来源：芯闻道，2026年10月30日）

如有需求，请联系：13423736244 13603072128 QQ：517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 安森美头部客户仅七成配额，SiC紧缺预计维持2至3年（数据来源：芯闻道，2026年10月30日）

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