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IRFR9024NPBF P沟道-55V -8.9A MOSFET 现货供应

型号:IRFR9024NPBF 品牌:Infineon 封装:DPAK 发布时间:2026-11-04
InfineonIRFR9024NPBF采用DPAK封装,定位为P沟道-55V-8.9AMOSFET,主要用于电源输入防反接、负载开关与软启动与电池供电设备电源管理等场景。

Infineon IRFR9024NPBF 采用 DPAK 封装,定位为P沟道-55V -8.9A MOSFET,主要用于电源输入防反接、负载开关与软启动与电池供电设备电源管理等场景。英飞凌P沟道功率MOSFET,-55V耐压-8.9A电流,DPAK贴片封装,用于高边开关与电源反接保护场景,省去P沟道稀缺造成的替代困难,是防反接电路的标准答案之一。英飞凌2026年对SiC MOSFET完成两轮调价、累计上涨10%至20%,主流料号交期拉长到26至40周并实行配额供应;安世中国11月4日确认库存充足至年底,通用中低压MOSFET现货渠道相对充裕,但高压与SiC料号仍维持紧平衡(数据来源:东方财富与爱集微,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
耐压-55V
电流-8.9A@25℃
类型P沟道,高边开关适用
封装DPAK(TO-252)
工作温度-55℃至175℃
价格趋势安世中国11月4日确认库存充足至年底,通用中低压MOSFET现货渠道相对充裕,但高压与SiC料号仍维持紧平衡(数据来源:东方财富与爱集微,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 无线通信:无线模块、基站设备、物联网终端
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌SiC两轮累计涨10%至20%并实行配额供应,高压料号维持紧平衡(数据来源:东方财富,2026年11月3日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌SiC两轮累计涨10%至20%并实行配额供应,高压料号维持紧平衡(数据来源:东方财富,2026年11月3日)

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