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功率

SI2301CDS P沟道-20V小信号MOSFET 现货供应

型号:SI2301CDS 品牌:Vishay 封装:SOT-23 发布时间:2026-11-04
VishaySI2301CDS采用SOT-23封装,定位为P沟道-20V小信号MOSFET,主要用于电池高边开关、负载开关与上电时序与充电指示与电源切换等场景。

Vishay SI2301CDS 采用 SOT-23 封装,定位为P沟道-20V小信号MOSFET,主要用于电池高边开关、负载开关与上电时序与充电指示与电源切换等场景。威世小功率P沟道MOSFET,-20V耐压-2.3A电流,SOT-23超小封装,是电池设备高边开关、负载开关与充电指示电路用量最大的贴片管之一,各品牌均有Pin-to-Pin替代。英飞凌2026年对SiC MOSFET完成两轮调价、累计上涨10%至20%,主流料号交期拉长到26至40周并实行配额供应;安世中国11月4日确认库存充足至年底,通用中低压MOSFET现货渠道相对充裕,但高压与SiC料号仍维持紧平衡(数据来源:东方财富与爱集微,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
耐压-20V
电流-2.3A@25℃
类型P沟道增强型
封装SOT-23-3
工作温度-55℃至150℃
价格趋势安世中国11月4日确认库存充足至年底,通用中低压MOSFET现货渠道相对充裕,但高压与SiC料号仍维持紧平衡(数据来源:东方财富与爱集微,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌SiC两轮累计涨10%至20%并实行配额供应,高压料号维持紧平衡(数据来源:东方财富,2026年11月3日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌SiC两轮累计涨10%至20%并实行配额供应,高压料号维持紧平衡(数据来源:东方财富,2026年11月3日)

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