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功率

IPB017N10N5GXKSA1 100V OptiMOS 1.7mΩ MOSFET 现货供应

型号:IPB017N10N5GXKSA1 品牌:Infineon 封装:TO-263-7 发布时间:2026-11-05
InfineonIPB017N10N5GXKSA1采用TO-263-7封装,定位为100VOptiMOS1.7mΩMOSFET,主要用于48V电池系统功率级、大电流DC-DC模块与储能变流器辅助级等场景。

Infineon IPB017N10N5GXKSA1 采用 TO-263-7 封装,定位为100V OptiMOS 1.7mΩ MOSFET,主要用于48V电池系统功率级、大电流DC-DC模块与储能变流器辅助级等场景。英飞凌OptiMOS 5代100V平台,1.7毫欧导通阻抗配合TO-263-7四引脚开尔文源极封装,开关损耗与导通损耗双优,是48V电池系统与高电流DC-DC的热门功率级。扬杰科技前三季度营收71.83亿元同比增长34.31%、SiC产品第三季度同比增幅接近200%,AI数据中心与新能源需求推动功率半导体量价齐升;8英寸成熟制程产能紧缺,中低压MOSFET随车规与AI电源需求同步走俏,士兰微各产线四季度预计延续满产(数据来源:金融界与新浪财经,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
电压等级100V
导通阻抗1.7mΩ(10V驱动)
连续电流180A(壳温25℃)
栅极电荷约135nC
封装TO-263-7带开尔文源极
工作温度-55℃至175℃
应用平台48V母线、DC-DC功率级
价格趋势8英寸成熟制程产能紧缺,中低压MOSFET随车规与AI电源需求同步走俏,士兰微各产线四季度预计延续满产(数据来源:金融界与新浪财经,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 无线通信:无线模块、基站设备、物联网终端
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 扬杰科技SiC第三季度同比增近200%,8英寸产能紧缺推动功率器件量价齐升(数据来源:金融界,2026年11月4日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 扬杰科技SiC第三季度同比增近200%,8英寸产能紧缺推动功率器件量价齐升(数据来源:金融界,2026年11月4日)

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