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被动元件

CL31B475KBHNNNE X7R 4.7uF 50V 现货供应

型号:CL31B475KBHNNNE 品牌:Samsung 封装:1206 发布时间:2026-11-05
SamsungCL31B475KBHNNNE采用1206封装,定位为X7R4.7uF50V,主要用于工业辅助电源去耦、汽车电控模块与DC-DC输入输出滤波等场景。

Samsung CL31B475KBHNNNE 采用 1206 封装,定位为X7R 4.7uF 50V,主要用于工业辅助电源去耦、汽车电控模块与DC-DC输入输出滤波等场景。三星电机1206封装4.7微法50V MLCC,X7R介质温漂小,工业与车规辅助电源去耦的黄金规格,三星电机Q4对OEM与ODM调涨报价后渠道价水涨船高。高盛研究显示MLCC已成为AI服务器BOM第三大成本项、仅次于GPU与存储芯片,单台高阶AI服务器机架需搭载60万颗MLCC、为传统服务器约30倍,VR200机架MLCC价值量4320美元较GB300提升182%;高端MLCC供应紧张预计持续至2027年上半年,2027年第一季度价格谈判已于11月启动、日系厂商跟进三星电机涨价概率较大(数据来源:高盛观点与半导体行业观察,2026年11月5日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
容量4.7μF
额定电压50V
介质X7R
封装1206
容差±10%
工作温度-55℃至125℃
应用宽压去耦/滤波
价格趋势高端MLCC供应紧张预计持续至2027年上半年,2027年第一季度价格谈判已于11月启动、日系厂商跟进三星电机涨价概率较大(数据来源:高盛观点与半导体行业观察,2026年11月5日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 电路配套:滤波、去耦、储能、阻抗匹配

商品特性

  • 高容小尺寸,节省板面空间
  • 优秀直流偏压特性与高耐压
  • 车规AEC-Q200版本可选
  • 多品牌交叉替代方案齐全
  • MLCC成AI服务器BOM第三大成本项,高端缺口持续至2027H1、2027Q1议价11月启动(数据来源:高盛观点与半导体行业观察,2026年11月5日)

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商品特性

  • 高容小尺寸,节省板面空间
  • 优秀直流偏压特性与高耐压
  • 车规AEC-Q200版本可选
  • 多品牌交叉替代方案齐全
  • MLCC成AI服务器BOM第三大成本项,高端缺口持续至2027H1、2027Q1议价11月启动(数据来源:高盛观点与半导体行业观察,2026年11月5日)

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