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功率

IPZ042N06N5GXKSA1 60V N沟道 OptiMOS 低导通 现货供应

型号:IPZ042N06N5GXKSA1 品牌:Infineon 封装:TO-220 发布时间:2026-11-06
InfineonIPZ042N06N5GXKSA1采用TO-220封装,定位为60VN沟道OptiMOS低导通,主要用于同步整流、电机驱动与电源一次侧开关等场景。

Infineon IPZ042N06N5GXKSA1 采用 TO-220 封装,定位为60V N沟道 OptiMOS 低导通,主要用于同步整流、电机驱动与电源一次侧开关等场景。英飞凌OptiMOS 5代60V N沟道MOSFET,导通电阻做到毫欧级,配合低栅极电荷在高频开关下损耗更小,同步整流与电机驱动场景的常用料号,原厂交期偏长。TrendForce指出2027年AI平台每代MLCC用量倍增、server出货年增约20%,功率与被动件同步受AI基础设施拉动;8英寸成熟制程产能紧缺叠加车规与AI电源双重需求,中低压MOSFET与SiC器件交期偏紧,国产功率料号验证导入节奏加快(数据来源:TrendForce与元大证券,2026年11月5日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
耐压60V
导通电阻毫欧级
电流大电流
栅极电荷低
封装TO-220
特性优化开关损耗
工作温度-55℃至175℃
价格趋势8英寸成熟制程产能紧缺叠加车规与AI电源双重需求,中低压MOSFET与SiC器件交期偏紧,国产功率料号验证导入节奏加快(数据来源:TrendForce与元大证券,2026年11月5日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 无线通信:无线模块、基站设备、物联网终端
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • AI服务器出货年增约20%,功率与被动件同步受算力扩张拉动(数据来源:TrendForce,2026年11月5日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • AI服务器出货年增约20%,功率与被动件同步受算力扩张拉动(数据来源:TrendForce,2026年11月5日)

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