Infineon IPZ042N06N5GXKSA1 采用 TO-220 封装,定位为60V N沟道 OptiMOS 低导通,主要用于同步整流、电机驱动与电源一次侧开关等场景。英飞凌OptiMOS 5代60V N沟道MOSFET,导通电阻做到毫欧级,配合低栅极电荷在高频开关下损耗更小,同步整流与电机驱动场景的常用料号,原厂交期偏长。TrendForce指出2027年AI平台每代MLCC用量倍增、server出货年增约20%,功率与被动件同步受AI基础设施拉动;8英寸成熟制程产能紧缺叠加车规与AI电源双重需求,中低压MOSFET与SiC器件交期偏紧,国产功率料号验证导入节奏加快(数据来源:TrendForce与元大证券,2026年11月5日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压 | 60V |
| 导通电阻 | 毫欧级 |
| 电流 | 大电流 |
| 栅极电荷 | 低 |
| 封装 | TO-220 |
| 特性 | 优化开关损耗 |
| 工作温度 | -55℃至175℃ |
| 价格趋势 | 8英寸成熟制程产能紧缺叠加车规与AI电源双重需求,中低压MOSFET与SiC器件交期偏紧,国产功率料号验证导入节奏加快(数据来源:TrendForce与元大证券,2026年11月5日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| R6012ENJX | Rohm | 功率 |
| NCEP40T11K | NCE | 功率 |
| NCE85H110 | NCE | 功率 |
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