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功率

NCEP40T11K 40V大电流MOSFET 现货供应

型号:NCEP40T11K 品牌:NCE 封装:TO-220 发布时间:2026-11-06
NCENCEP40T11K采用TO-220封装,定位为40V大电流MOSFET,主要用于同步Buck下管、电池保护板与电机H桥等场景。

NCE NCEP40T11K 采用 TO-220 封装,定位为40V大电流MOSFET,主要用于同步Buck下管、电池保护板与电机H桥等场景。新洁能40V大电流MOSFET,低导通电阻配合低栅极电荷,适合同步Buck下管与电池保护等大电流路径,TO-220封装散热好,在电动工具与储能BMS中用量大。TrendForce指出2027年AI平台每代MLCC用量倍增、server出货年增约20%,功率与被动件同步受AI基础设施拉动;8英寸成熟制程产能紧缺叠加车规与AI电源双重需求,中低压MOSFET与SiC器件交期偏紧,国产功率料号验证导入节奏加快(数据来源:TrendForce与元大证券,2026年11月5日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
耐压40V
电流大电流
导通电阻低
栅极电荷低
封装TO-220
特性适合大电流路径
工作温度-55℃至150℃
价格趋势8英寸成熟制程产能紧缺叠加车规与AI电源双重需求,中低压MOSFET与SiC器件交期偏紧,国产功率料号验证导入节奏加快(数据来源:TrendForce与元大证券,2026年11月5日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • AI服务器出货年增约20%,功率与被动件同步受算力扩张拉动(数据来源:TrendForce,2026年11月5日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • AI服务器出货年增约20%,功率与被动件同步受算力扩张拉动(数据来源:TrendForce,2026年11月5日)

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