INN650D160A 国产GaN 650V 160mΩ 现货供应

Innoscience INN650D160A 采用 TO-252 封装，定位为国产GaN 650V 160mΩ，主要用于氮化镓快充适配器、LED恒流驱动与PFC辅助级等场景。英诺赛科国产GaN旗舰低压档料号，650V耐压导通电阻160mΩ，TO-252封装直接替换传统超结MOS且开关速度提升一个量级，内置驱动无需外配，快充与LED驱动方案国产化率最高的GaN入口型号。荷兰安世向阿姆斯特丹地方法院起诉闻泰科技等主体索赔20亿美元，车规功率器件供应风险再起，下游客户加速双渠道备货；功率交期普遍30周以上，SiC与GaN器件受电驱与快充双线拉动维持强势（数据来源：闻泰科技公告与中国台湾供应商周报，2026年11月）。（数据来源见下方价格趋势与行情说明）

核心参数

应用场景

• 电子设备：通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 安世诉讼推高供应风险，车规功率备货转向双渠道（数据来源：闻泰科技公告，2026年11月）

如有需求，请联系：13423736244 13603072128 QQ：517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 安世诉讼推高供应风险，车规功率备货转向双渠道（数据来源：闻泰科技公告，2026年11月）

相关型号现货