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IPB60R060P7 650V CoolMOS P7 60mΩ 超级结 MOSFET 现货供应

型号:IPB60R060P7 品牌:Infineon 封装:TO-263 发布时间:2026-11-12
InfineonIPB60R060P7采用TO-263封装,定位为650VCoolMOSP760mΩ超级结MOSFET,主要用于开关电源PFC级、充电桩功率模块与光伏微型逆变器等场景。

Infineon IPB60R060P7 采用 TO-263 封装,定位为650V CoolMOS P7 60mΩ 超级结 MOSFET,主要用于开关电源PFC级、充电桩功率模块与光伏微型逆变器等场景。耐压650V,导通电阻60mΩ,采用CoolMOS P7平台,开关损耗与导通损耗平衡,适合硬开关拓扑,栅极电荷低便于高频驱动。。安世半导体临时CEO于11月11日慕尼黑电子展对路透社称订单已完全超额,同行产能转向AI数据中心令汽车供应链出现瓶颈;台湾功率厂酝酿第三波10%至15%调价(数据来源:路透社与智通财经,2026年11月11日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
耐压650V
导通电阻60mΩ @ 10V
连续漏极电流约40A(视散热条件)
栅极电荷低栅荷设计
技术平台CoolMOS P7 超级结
工作温度-55℃ 至 150℃
封装TO-263
价格趋势台湾功率厂酝酿第三波10%至15%调价(数据来源:路透社与智通财经,2026年11月11日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安世称订单完全超额,汽车供应链出现瓶颈(数据来源:路透社,2026年11月11日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安世称订单完全超额,汽车供应链出现瓶颈(数据来源:路透社,2026年11月11日)

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