Infineon IPB60R060P7 采用 TO-263 封装,定位为650V CoolMOS P7 60mΩ 超级结 MOSFET,主要用于开关电源PFC级、充电桩功率模块与光伏微型逆变器等场景。耐压650V,导通电阻60mΩ,采用CoolMOS P7平台,开关损耗与导通损耗平衡,适合硬开关拓扑,栅极电荷低便于高频驱动。。安世半导体临时CEO于11月11日慕尼黑电子展对路透社称订单已完全超额,同行产能转向AI数据中心令汽车供应链出现瓶颈;台湾功率厂酝酿第三波10%至15%调价(数据来源:路透社与智通财经,2026年11月11日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压 | 650V |
| 导通电阻 | 60mΩ @ 10V |
| 连续漏极电流 | 约40A(视散热条件) |
| 栅极电荷 | 低栅荷设计 |
| 技术平台 | CoolMOS P7 超级结 |
| 工作温度 | -55℃ 至 150℃ |
| 封装 | TO-263 |
| 价格趋势 | 台湾功率厂酝酿第三波10%至15%调价(数据来源:路透社与智通财经,2026年11月11日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IPB60R099P6 | 英飞凌 | 功率器件 |
| IPB60R099C6 | Infineon | 功率 |
| IPB60R040C7 | Infineon | 汽车 |
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