GS-065-008-1-L是GaN Systems推出的650V 8A氮化镓功率晶体管,采用DFN封装。该芯片采用岛式技术,具有低寄生电容、高效率、高可靠性等特点,适合高频开关电源、逆变器、电机驱动等应用。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,GS-065-008-1-L全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | 增强型GaN FET |
| 耐压VDS | 650V |
| 连续电流ID | 8A |
| RDS(on) | 典型150mΩ |
| 封装 | DFN |
| 栅极电荷Qg | 极低 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 效率 | 高频高效 |
| 价格趋势 | 2026年9月高端氮化镓快充和数据中心电源对GaN Systems器件需求稳定,价格高位(来源:IC交易网 2026.09) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| GS-065-011-1-L | GaN Systems | 汽车电子 |
| MP2359DJ-LF-Z | MPS/芯源 | 电源管理IC |
| XL7015 | XinLong/芯龙 | 电源管理IC |
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