INN650D02 650V GaN HEMT 现货供应

商品概述

INN650D02是Innoscience/英诺赛科推出的英诺赛科650V氮化镓HEMT，低Qg、高频高效，采用DFN8×8封装。该芯片适合氮化镓快充、服务器电源、OBC，广泛应用于氮化镓快充、无线充电、USB PD协议、移动电源和小家电电源。当前消费电子市场回暖，GaN快充和USB PD需求增长，INN650D02凭借高集成度和高效率成为电源设计的热门方案。。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商，590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供，INN650D02全系列封装齐全，可承接中小批量订单与大单锁货需求，支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件，部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

应用场景

• 电源设计：开关电源、适配器、终端供电电路
• 工业电源：工业设备供电、电源模块、配电系统

商品特性

• 氮化镓功率器件，-输出能力
• 高频高频，效率-
• -协议支持
• DFN8×8封装适合高密度电源
• 国产替代方案可选
• 2026年9月快充市场回暖，现货需求增长

如有需求，请联系：13423736244 13603072128 QQ：517368904 eric@szcxwykj.com

相关型号现货