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消费电子/快充

INN650D02 650V GaN HEMT 现货供应

型号:INN650D02 品牌:Innoscience/英诺赛科 封装:DFN8x8 发布时间:2026-09-19
INN650D02是Innoscience/英诺赛科推出的英诺赛科650V氮化镓HEMT,低Qg、高频高效,采用DFN8×8封装。

商品概述

INN650D02是Innoscience/英诺赛科推出的英诺赛科650V氮化镓HEMT,低Qg、高频高效,采用DFN8×8封装。该芯片适合氮化镓快充、服务器电源、OBC,广泛应用于氮化镓快充、无线充电、USB PD协议、移动电源和小家电电源。当前消费电子市场回暖,GaN快充和USB PD需求增长,INN650D02凭借高集成度和高效率成为电源设计的热门方案。。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,INN650D02全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

项目参数
类型氮化镓功率器件
输入电压650V
输出规格-
开关频率高频
效率-
封装DFN8×8
协议支持-
工作温度-55℃~+150℃
价格趋势2026年9月消费电子/快充需求稳定,现货价格行情平稳(来源:华强电子网/IC交易网 2026.09)

应用场景

  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

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型号品牌分类说明
UCC28740Texas Instruments消费电子/快充同系列在售现货,可替代询价
NCP1342B1onsemi/安森美消费电子/快充同系列在售现货,可替代询价
INN650DA04Innoscience/英诺赛科电源管理IC同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • 氮化镓功率器件,-输出能力
  • 高频高频,效率-
  • -协议支持
  • DFN8×8封装适合高密度电源
  • 国产替代方案可选
  • 2026年9月快充市场回暖,现货需求增长

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

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型号品牌分类
UCC28740Texas Instruments消费电子/快充
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