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功率器件

IRFH5301TRPBF Infineon 30V/100A低导通电阻MOSFET 现货供应

型号:IRFH5301TRPBF 品牌:Infineon/英飞凌 封装:PQFN-8 (5x6mm) 发布时间:2026-07-31
IRFH5301TRPBF是英飞凌(Infineon)OptiMOS5系列旗舰N沟道功率MOSFET,30V耐压、100A持续漏极电流,2.6mΩ超低导通电阻(@VGS=10V),是当前48V/24V机器人伺服系统最具代表性的开关器件之一。

IRFH5301TRPBF是英飞凌(Infineon)OptiMOS 5系列旗舰N沟道功率MOSFET,30V耐压、100A持续漏极电流,2.6mΩ超低导通电阻(@VGS=10V),是当前48V/24V机器人伺服系统最具代表性的开关器件之一。该芯片Qg栅极电荷仅85nC,配合PQFN-8(5mm×6mm)贴片封装顶部散热焊盘设计,可支持>50kHz高频PWM控制,大幅降低开关损耗并提升电机转矩带宽。IRFH5301的雪崩耐量EAS高达900mJ,在机器人关节急停、堵转、电压尖峰等极端工况下依然能稳定工作,是人形机器人髋/膝/肩等高功率主关节驱动桥的首选器件。2026年人形机器人量产元年,叠加国内宇树、智元、优必选等头部企业产能爬坡,机器人功率MOSFET需求大幅增长,国产Pin-to-Pin替代方案(华润微、新洁能、士兰微)已批量出货,价格仅为Infineon的60-70%。

核心参数

项目参数
类型N沟道MOSFET
漏源耐压(VDS)30V
持续漏极电流(ID)100A(@25℃,Tc)
导通电阻(RDS(on))2.6mΩ(@VGS=10V)
栅极电荷(Qg)85nC(典型)
输入电容(Ciss)5600pF
雪崩能量EAS900mJ(单脉冲)
开关时间tr=18ns,tf=10ns(典型)
工作温度-55℃ ~ +175℃(结温)
封装PQFN-8(5mm×6mm)
价格趋势人形机器人拉动询盘激增,国产替代成本降30%(2026.07)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 无线通信:无线模块、基站设备、物联网终端
  • 功率转换:开关电源、逆变器、功率变换电路

相关型号现货

型号品牌分类说明
IRF3205PBFInfineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
SI4488ADY-T1-GE3onsemi/安森美功率器件同系列在售现货,可替代询价
IKW40N60H3Infineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • N沟道MOSFET,30V耐压/100A持续漏极电流,2.6mΩ超低导通电阻(@VGS=10V)
  • 采用Infineon OptiMOS 5技术,Qg栅极电荷仅85nC,开关损耗低
  • PQFN-8(5mm×6mm)贴片封装,顶部散热焊盘,PCB热阻极低
  • 100%雪崩测试通过,单脉冲雪崩能量EAS高达900mJ
  • 工业级-40℃~+175℃结温,AEC-Q101汽车级认证可选
  • 人形机器人BLDC六管驱动桥髋/膝/肩关节首选开关管,国产Pin-to-Pin替代方案成熟

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型号品牌分类
IRF3205PBFInfineon/英飞凌功率器件
SI4488ADY-T1-GE3onsemi/安森美功率器件
IKW40N60H3Infineon/英飞凌功率器件

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