Infineon IPP60R099P7 采用 TO-220 封装,属于650V CoolMOS 99mΩ 高效率,主要用于电源变换、电机驱动与电池系统等场景。该器件CoolMOS P7平台,导通阻抗99毫欧效率高,方案已在客户端批量验证。 功率分立器件交期普遍40至52周,1200V SiC仍然紧缺;AI服务器48V架构与新能源电驱同时拉动MOSFET与IGBT需求,国产替代窗口已打开(数据来源:东方财富2026年10月24日、芯片行业日报2026年10月22日)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | 功率MOSFET或IGBT |
| 耐压 | 650V |
| 电流能力 | 31A |
| 封装 | TO-220 |
| 特色 | CoolMOS P7平台,导通阻抗99毫欧效率高 |
| 价格趋势 | AI服务器48V架构与新能源电驱同时拉动MOSFET与IGBT需求,国产替代窗口已打开(数据来源:东方财富2026年10月24日、芯片行业日报2026年10月22日) |
如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IPP60R190E6 | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| IPP60R190P6 | Infineon | 功率 |
| IPP60R099CPA | Infineon | 功率 |
扫码加微信
微信扫一扫,快速询价