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功率

IMZ120R045M1 1200V 45mΩ SiC MOSFET 四脚封装 现货供应

型号:IMZ120R045M1 品牌:Infineon 封装:TO-247-4 发布时间:2026-10-27
InfineonIMZ120R045M1采用TO-247-4封装,定位为1200V45mΩSiCMOSFET四脚封装,主要用于光伏逆变器、储能变流器与车载OBC等场景。

Infineon IMZ120R045M1 采用 TO-247-4 封装,定位为1200V 45mΩ SiC MOSFET 四脚封装,主要用于光伏逆变器、储能变流器与车载OBC等场景。碳化硅在光伏与储能逆变中替代硅基IGBT,开关损耗显著下降,四脚开尔文源极抑制栅极振荡。安森美10月启动新一轮功率器件提价,功率器件第二轮涨价已由AI电力需求与原厂调价双催化确认,券商判断涨价延续至2027年;2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速约为零(数据来源:电子元器件日报,2026年10月27日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
漏源电压1200V
导通阻抗45mΩ(Vgs=15V)
连续漏极电流47A(Tc=25℃)
栅极电荷典型62nC
封装TO-247-4(开尔文源极)
体二极管无反向恢复电流
工作温度-55℃至175℃
价格趋势2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速约为零(数据来源:电子元器件日报,2026年10月27日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 功率器件第二轮涨价确立,安森美10月再度提价(数据来源:电子元器件日报,2026年10月27日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 功率器件第二轮涨价确立,安森美10月再度提价(数据来源:电子元器件日报,2026年10月27日)

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