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功率

IKW25N120H3 1200V 25A IGBT 工业变频 现货供应

型号:IKW25N120H3 品牌:Infineon 封装:TO-247 发布时间:2026-10-28
InfineonIKW25N120H3采用TO-247封装,定位为1200V25AIGBT工业变频,主要用于工业变频器、逆变焊机与电磁加热等场景。

Infineon IKW25N120H3 采用 TO-247 封装,定位为1200V 25A IGBT 工业变频,主要用于工业变频器、逆变焊机与电磁加热等场景。英飞凌IGBT4代沟槽栅技术,1200V工控主力料号,变频器与逆变焊机用量大,近期原厂调价后现货报价走高。英飞凌10月27日宣布投资约11亿欧元建设全球首座300mm GaN功率半导体工厂,2027年底投产,瞄准AI数据中心与新能源汽车;安森美功率器件第二轮涨价生效,交期普遍拉长(数据来源:英飞凌公告与电子元器件日报,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
电压电流1200V,25A,Tc=100℃下21A
饱和压降VCE(sat)典型1.7V,低损耗
开关特性关断能量Eoff典型46μJ,适合20kHz以下
短路耐受10μs短路耐受时间
封装TO-247,带N型低感设计
工作温度Tj最高175℃
配套二极管反并联快恢复二极管集成
价格趋势安森美功率器件第二轮涨价生效,交期普遍拉长(数据来源:英飞凌公告与电子元器件日报,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌300mm GaN工厂投资落地,功率器件涨价与扩产并行(数据来源:英飞凌公告,2026年10月27日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌300mm GaN工厂投资落地,功率器件涨价与扩产并行(数据来源:英飞凌公告,2026年10月27日)

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