Nexperia PSMN022-30PL 采用 TO-220 封装,定位为30V 100A 低导通MOSFET,主要用于DC-DC大电流模块、电动工具与逆变预告警等场景。Nexperia功率级经典,30V耐压100A大电流,导通阻抗2.2mΩ极低,DC-DC大电流母线与电机驱动常用。英飞凌10月27日宣布投资约11亿欧元建设全球首座300mm GaN功率半导体工厂,2027年底投产,瞄准AI数据中心与新能源汽车;安森美功率器件第二轮涨价生效,交期普遍拉长(数据来源:英飞凌公告与电子元器件日报,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 电压电流 | 30V,100A(Tc=25℃),RDS(on)典型2.2mΩ |
| 栅极电荷 | Qg典型76nC |
| 开关特性 | 优化开关速度,同步整流效率高 |
| 雪崩能力 | 单脉冲雪崩能量EAS 800mJ |
| 封装 | TO-220,直插散热方便 |
| 工作温度 | Tj最高175℃ |
| 配套应用 | 半桥与全桥低压大电流拓扑 |
| 价格趋势 | 安森美功率器件第二轮涨价生效,交期普遍拉长(数据来源:英飞凌公告与电子元器件日报,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IKW25N120H3 | Infineon | 功率 |
| NCE30H11K | NCE | 功率 |
| GS61008P | GaN Systems | 功率 |
扫码加微信
微信扫一扫,快速询价