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功率

PSMN022-30PL 30V 100A 低导通MOSFET 现货供应

型号:PSMN022-30PL 品牌:Nexperia 封装:TO-220 发布时间:2026-10-28
NexperiaPSMN022-30PL采用TO-220封装,定位为30V100A低导通MOSFET,主要用于DC-DC大电流模块、电动工具与逆变预告警等场景。

Nexperia PSMN022-30PL 采用 TO-220 封装,定位为30V 100A 低导通MOSFET,主要用于DC-DC大电流模块、电动工具与逆变预告警等场景。Nexperia功率级经典,30V耐压100A大电流,导通阻抗2.2mΩ极低,DC-DC大电流母线与电机驱动常用。英飞凌10月27日宣布投资约11亿欧元建设全球首座300mm GaN功率半导体工厂,2027年底投产,瞄准AI数据中心与新能源汽车;安森美功率器件第二轮涨价生效,交期普遍拉长(数据来源:英飞凌公告与电子元器件日报,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
电压电流30V,100A(Tc=25℃),RDS(on)典型2.2mΩ
栅极电荷Qg典型76nC
开关特性优化开关速度,同步整流效率高
雪崩能力单脉冲雪崩能量EAS 800mJ
封装TO-220,直插散热方便
工作温度Tj最高175℃
配套应用半桥与全桥低压大电流拓扑
价格趋势安森美功率器件第二轮涨价生效,交期普遍拉长(数据来源:英飞凌公告与电子元器件日报,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌300mm GaN工厂投资落地,功率器件涨价与扩产并行(数据来源:英飞凌公告,2026年10月27日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌300mm GaN工厂投资落地,功率器件涨价与扩产并行(数据来源:英飞凌公告,2026年10月27日)

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