SCT2450KE 1200V 45mΩ SiC MOSFET 现货供应

Rohm SCT2450KE 采用 TO-247 封装，定位为1200V 45mΩ SiC MOSFET，主要用于光伏逆变器、储能PCS与充电桩模块等场景。罗姆第三代SiC MOSFET，开关损耗显著低于同级IGBT，光伏与储能PCS客户加速导入，SiC交期排至2027年后需锁量。英飞凌10月27日宣布投资约11亿欧元建设全球首座300mm GaN功率半导体工厂，2027年底投产，瞄准AI数据中心与新能源汽车；安森美功率器件第二轮涨价生效，交期普遍拉长（数据来源：英飞凌公告与电子元器件日报，2026年10月27日至28日）。（数据来源见下方价格趋势与行情说明）

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 电子设备：通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 英飞凌300mm GaN工厂投资落地，功率器件涨价与扩产并行（数据来源：英飞凌公告，2026年10月27日）

如有需求，请联系：13423736244 13603072128 QQ：517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 英飞凌300mm GaN工厂投资落地，功率器件涨价与扩产并行（数据来源：英飞凌公告，2026年10月27日）

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