Infineon IMZ120R030M1H 采用 TO-247-4 封装,定位为1200V 30mΩ SiC MOSFET,主要用于车载OBC、电驱逆变器与氢燃料DC-DC等场景。英飞凌CoolSiC车规级M1H技术,TO-247-4开尔文源极封装降低开关损耗,OBC与电驱客户放量,SiC交期排至2027年。恩智浦四季度指引不及预期、绩后跌近7%,汽车与工业补库尚未全面启动,AI相关与非AI需求分化清晰;车规BMS AFE与SiC器件维持分货,SiC交期排至2027年以后(数据来源:中新经纬与东方财富,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 电压电流 | 1200V,RDS(on)典型30mΩ |
| 封装优势 | TO-247-4四脚开尔文源极,驱动回路阻抗低 |
| 开关特性 | Eon加Eoff显著低于IGBT方案,适合高频 |
| 栅极驱动 | 推荐+15V/-4V驱动,配套驱动IC |
| 车规认证 | AEC-Q101 qualified |
| 工作温度 | Tj最高175℃ |
| 短路耐受 | 3μs短路耐受 |
| 价格趋势 | 车规BMS AFE与SiC器件维持分货,SiC交期排至2027年以后(数据来源:中新经纬与东方财富,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IMZ120R045M1XKSA1 | Infineon | 功率 |
| IMZ120R045M1 | Infineon | 功率 |
| IMZ120R045M1H | Infineon | 汽车 |
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