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功率

FF300R12ME4 1200V 300A IGBT模块 半桥 现货供应

型号:FF300R12ME4 品牌:Infineon 封装:模块 发布时间:2026-10-30
InfineonFF300R12ME4采用模块封装,定位为1200V300AIGBT模块半桥,主要用于工业变频器、伺服驱动器与风电变流器等场景。

Infineon FF300R12ME4 采用 模块 封装,定位为1200V 300A IGBT模块 半桥,主要用于工业变频器、伺服驱动器与风电变流器等场景。FF300R12ME4是EconoDUAL 3封装的半桥模块,300A额定电流覆盖大多数工业变频与伺服主回路,模块化设计让散热与并联变得简单。英飞凌10月29日在德国Warstein开设功率电子实验室并完成对C2i的收购,补入多相控制器与智能功率级;意法半导体发布MasterGaN7集成半桥,同时给出四季度收入环比增长指引,工控与汽车库存去化接近结束;国内功率板块利润分化明显,华润微前三季净利同比增85.95%,斯达半导净利同比降75.1%(数据来源:电子工程专辑与三季报,2026年10月29日至30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
耐压1200V
额定电流300A
配置半桥,两只IGBT加反并联二极管
封装EconoDUAL 3,带NTC测温
绝缘电压2.5kV,1分钟
工作温度-40℃至150℃结温
价格趋势国内功率板块利润分化明显,华润微前三季净利同比增85.95%,斯达半导净利同比降75.1%(数据来源:电子工程专辑与三季报,2026年10月29日至30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • GaN集成化与SiC扩产并行,功率器件进入结构性涨价阶段(数据来源:电子工程专辑,2026年10月29日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • GaN集成化与SiC扩产并行,功率器件进入结构性涨价阶段(数据来源:电子工程专辑,2026年10月29日)

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