Rohm R6020ENX 采用 TO-220 封装,定位为600V 20A 超结MOSFET,主要用于PFC电路、LLC谐振与适配器等场景。罗姆R6020ENX用超结结构把600V档的导通电阻压到190mΩ,开关损耗比传统平面MOS低一个量级,PFC与LLC一次侧常用它替代IGBT。英飞凌10月29日在德国Warstein开设功率电子实验室并完成对C2i的收购,补入多相控制器与智能功率级;意法半导体发布MasterGaN7集成半桥,同时给出四季度收入环比增长指引,工控与汽车库存去化接近结束;国内功率板块利润分化明显,华润微前三季净利同比增85.95%,斯达半导净利同比降75.1%(数据来源:电子工程专辑与三季报,2026年10月29日至30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压 | 600V |
| 连续电流 | 20A |
| 导通电阻 | 典型190mΩ |
| 栅极电荷 | 典型35nC |
| 封装 | TO-220 |
| 工作温度 | -55℃至150℃结温 |
| 价格趋势 | 国内功率板块利润分化明显,华润微前三季净利同比增85.95%,斯达半导净利同比降75.1%(数据来源:电子工程专辑与三季报,2026年10月29日至30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IRFB4227PBF | Infineon | 功率 |
| GS61008P | GaN Systems | 功率 |
| SI7850DP-T1-E3 | Vishay | 功率 |
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