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功率

R6020ENX 600V 20A 超结MOSFET 现货供应

型号:R6020ENX 品牌:Rohm 封装:TO-220 发布时间:2026-10-30
RohmR6020ENX采用TO-220封装,定位为600V20A超结MOSFET,主要用于PFC电路、LLC谐振与适配器等场景。

Rohm R6020ENX 采用 TO-220 封装,定位为600V 20A 超结MOSFET,主要用于PFC电路、LLC谐振与适配器等场景。罗姆R6020ENX用超结结构把600V档的导通电阻压到190mΩ,开关损耗比传统平面MOS低一个量级,PFC与LLC一次侧常用它替代IGBT。英飞凌10月29日在德国Warstein开设功率电子实验室并完成对C2i的收购,补入多相控制器与智能功率级;意法半导体发布MasterGaN7集成半桥,同时给出四季度收入环比增长指引,工控与汽车库存去化接近结束;国内功率板块利润分化明显,华润微前三季净利同比增85.95%,斯达半导净利同比降75.1%(数据来源:电子工程专辑与三季报,2026年10月29日至30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
耐压600V
连续电流20A
导通电阻典型190mΩ
栅极电荷典型35nC
封装TO-220
工作温度-55℃至150℃结温
价格趋势国内功率板块利润分化明显,华润微前三季净利同比增85.95%,斯达半导净利同比降75.1%(数据来源:电子工程专辑与三季报,2026年10月29日至30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • GaN集成化与SiC扩产并行,功率器件进入结构性涨价阶段(数据来源:电子工程专辑,2026年10月29日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • GaN集成化与SiC扩产并行,功率器件进入结构性涨价阶段(数据来源:电子工程专辑,2026年10月29日)

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