EPC EPC2038 采用 LGA 封装,定位为100V 30A GaN eGaN FET,主要用于激光雷达、高频DC-DC与Class-D音频等场景。EPC2038是100V耐压的增强型氮化镓器件,无反向恢复电荷、开关速度达纳秒级,激光雷达与高频DC-DC电源用它把开关频率推到MHz以上。英飞凌10月29日在德国Warstein开设功率电子实验室并完成对C2i的收购,补入多相控制器与智能功率级;意法半导体发布MasterGaN7集成半桥,同时给出四季度收入环比增长指引,工控与汽车库存去化接近结束;国内功率板块利润分化明显,华润微前三季净利同比增85.95%,斯达半导净利同比降75.1%(数据来源:电子工程专辑与三季报,2026年10月29日至30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压 | 100V |
| 连续电流 | 30A,25℃ |
| 导通电阻 | 典型4.5mΩ |
| 栅极电荷 | 典型7nC,无Qrr |
| 封装 | LGA,6.05×2.3mm |
| 工作温度 | -40℃至150℃结温 |
| 价格趋势 | 国内功率板块利润分化明显,华润微前三季净利同比增85.95%,斯达半导净利同比降75.1%(数据来源:电子工程专辑与三季报,2026年10月29日至30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| GS61008P | GaN Systems | 功率 |
| SI7850DP-T1-E3 | Vishay | 功率 |
| STW20NK50Z | ST | 功率 |
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