GaN Systems GS61008P 采用 GaNPX 封装,定位为100V 90A GaN功率管,主要用于直流快充模块、激光驱动电源与48V服务器电源等场景。GaN Systems 100V旗舰料号,零反向恢复适合硬开关高频拓扑,DC快充与激光电源客户在验证导入。英飞凌10月27日宣布投资约11亿欧元建设全球首座300mm GaN功率半导体工厂,2027年底投产,瞄准AI数据中心与新能源汽车;安森美功率器件第二轮涨价生效,交期普遍拉长(数据来源:英飞凌公告与电子元器件日报,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 电压电流 | 100V,90A,RDS(on)典型7mΩ |
| 反向恢复 | Qrr为零,硬开关损耗极低 |
| 开关特性 | 开关速度快,适合300kHz以上拓扑 |
| 驱动要求 | Vgs ±10V,需专用GaN驱动 |
| 封装 | GaNPX底部散热封装,电感极低 |
| 工作温度 | Tj最高150℃ |
| 应用频率 | 推荐100kHz至1MHz |
| 价格趋势 | 安森美功率器件第二轮涨价生效,交期普遍拉长(数据来源:英飞凌公告与电子元器件日报,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| STW45NM60 | ST | 功率 |
| FGH75N60UFD | onsemi | 功率 |
| SCT2450KE | Rohm | 功率 |
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