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功率

FQP13N50C 500V 13A N沟道MOSFET 现货供应

型号:FQP13N50C 品牌:onsemi 封装:TO-220 发布时间:2026-10-31
onsemiFQP13N50C采用TO-220封装,定位为500V13AN沟道MOSFET,主要用于反激开关电源、半桥逆变与工业电源等场景。

onsemi FQP13N50C 采用 TO-220 封装,定位为500V 13A N沟道MOSFET,主要用于反激开关电源、半桥逆变与工业电源等场景。13N50C是开关电源里最常见的高压管之一,500V耐压配13A电流,反激与半桥拓扑都能覆盖,工业电源与逆变器客户把它当通用高压料号用。英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
漏源电压500V
连续漏极电流13A(25℃)
导通电阻约0.48Ω,10V栅压
栅极电荷中等Qg,适合数十kHz开关
封装TO-220
工作温度-55℃至150℃(结温)
价格趋势英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

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型号品牌分类
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