onsemi FDMC8888 采用 PQFN-8 封装,定位为30V 35A 同步降压MOSFET,主要用于同步降压上下管、笔记本主板供电与工控板卡DC-DC等场景。FDMC8888用双N沟道结构做同步降压的上下管,30V耐压覆盖12V与19V输入场景,笔记本与工控板卡的DC-DC客户用它把两颗管子压到一个封装里。英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 漏源电压 | 30V |
| 连续漏极电流 | 35A |
| 导通电阻 | 毫欧级,适合大电流输出 |
| 结构 | 双N沟道,可做同步降压上下管 |
| 封装 | PQFN-8 |
| 工作温度 | -55℃至150℃(结温) |
| 价格趋势 | 英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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