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功率

NCE0102K 100V 12A N沟道MOSFET 现货供应

型号:NCE0102K 品牌:NCE 封装:TO-252 发布时间:2026-10-31
NCENCE0102K采用TO-252封装,定位为100V12AN沟道MOSFET,主要用于电源一次侧开关、电机驱动与LED驱动等场景。

NCE NCE0102K 采用 TO-252 封装,定位为100V 12A N沟道MOSFET,主要用于电源一次侧开关、电机驱动与LED驱动等场景。新洁能这款100V管子主打国产替代,参数对齐国际大厂的同规格料号,电源与电机驱动客户用它降低BOM成本,交付周期也比进口料号短。英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
漏源电压100V
连续漏极电流12A
导通电阻低阻设计,10V栅压
封装TO-252(DPAK)
栅极电荷适合数十kHz至百kHz开关
工作温度-55℃至150℃(结温)
价格趋势英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

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