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SI7456DP-T1-E3 60V 25A N沟道MOSFET 现货供应

型号:SI7456DP-T1-E3 品牌:Vishay 封装:PowerPAK SO-8 发布时间:2026-10-31
VishaySI7456DP-T1-E3采用PowerPAKSO-8封装,定位为60V25AN沟道MOSFET,主要用于通信电源同步整流、工业DC-DC与电池保护开关等场景。

Vishay SI7456DP-T1-E3 采用 PowerPAK SO-8 封装,定位为60V 25A N沟道MOSFET,主要用于通信电源同步整流、工业DC-DC与电池保护开关等场景。SI7456是Vishay TrenchFET系列的老牌主力,60V耐压与低栅极电荷平衡得不错,通信电源与工业DC-DC客户长期用它做同步整流与负载开关。英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
漏源电压60V
连续漏极电流25A
导通电阻低阻设计,10V栅压充分导通
栅极电荷低Qg,适合数百kHz开关
封装PowerPAK SO-8
工作温度-55℃至150℃(结温)
价格趋势英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

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型号品牌分类
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