GaN Systems GS66502B 采用 GaNPX 封装,定位为650V 125mΩ 增强型 GaN 功率开关,主要用于高密度快充、服务器电源与无线充电发射等场景。耐压650V,导通电阻125mΩ,增强型氮化镓结构支持常关工作,无反向恢复电荷,开关速度可达兆赫级,适合高密度快充与服务器电源。。安世半导体临时CEO于11月11日慕尼黑电子展对路透社称订单已完全超额,同行产能转向AI数据中心令汽车供应链出现瓶颈;台湾功率厂酝酿第三波10%至15%调价(数据来源:路透社与智通财经,2026年11月11日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压 | 650V |
| 导通电阻 | 125mΩ |
| 器件类型 | 增强型 GaN HEMT |
| 反向恢复 | 无反向恢复电荷 |
| 开关速度 | 支持兆赫级开关 |
| 工作温度 | -55℃ 至 150℃ |
| 封装 | GaNPX |
| 价格趋势 | 台湾功率厂酝酿第三波10%至15%调价(数据来源:路透社与智通财经,2026年11月11日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| STGW60H65DFB | ST | 功率 |
| STP110N10F7 | ST | 功率 |
| IPB60R060P7 | Infineon | 功率 |
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