ST STGD5NB120SZT4 采用 DPAK 封装,定位为1200V IGBT带续流二极管,主要用于电磁加热、小功率变频与点火驱动等场景。1200V 5A小型IGBT集成续流二极管,电磁灶与小功率变频应用成熟,DPAK封装节省面积。。英飞凌宣布在300mm碳化硅晶圆上成功制造功率器件、芯片产量提升至2.3倍;安世称订单完全超额,汽车功率器件供应链瓶颈延续(数据来源:新浪证券与路透社,2026年11月12日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压 | 1200V |
| 电流 | 5A@25℃ |
| VCE(sat) | 2.2V典型 |
| 集成二极管 | 续流快恢复 |
| 封装 | DPAK |
| 工作温度 | -40℃~150℃ |
| 价格趋势 | 安世称订单完全超额,汽车功率器件供应链瓶颈延续(数据来源:新浪证券与路透社,2026年11月12日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IRF740APBF | Infineon | 功率 |
| GS66502B | GaN Systems | 功率 |
| STGD5NB120SZ | ST | 功率 |
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