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STGD5NB120SZT4 1200V IGBT带续流二极管 现货供应

型号:STGD5NB120SZT4 品牌:ST 封装:DPAK 发布时间:2026-11-13
STSTGD5NB120SZT4采用DPAK封装,定位为1200VIGBT带续流二极管,主要用于电磁加热、小功率变频与点火驱动等场景。

ST STGD5NB120SZT4 采用 DPAK 封装,定位为1200V IGBT带续流二极管,主要用于电磁加热、小功率变频与点火驱动等场景。1200V 5A小型IGBT集成续流二极管,电磁灶与小功率变频应用成熟,DPAK封装节省面积。。英飞凌宣布在300mm碳化硅晶圆上成功制造功率器件、芯片产量提升至2.3倍;安世称订单完全超额,汽车功率器件供应链瓶颈延续(数据来源:新浪证券与路透社,2026年11月12日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
耐压1200V
电流5A@25℃
VCE(sat)2.2V典型
集成二极管续流快恢复
封装DPAK
工作温度-40℃~150℃
价格趋势安世称订单完全超额,汽车功率器件供应链瓶颈延续(数据来源:新浪证券与路透社,2026年11月12日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌300mm碳化硅晶圆制造成功,SiC器件产量提升至2.3倍(数据来源:新浪证券,2026年11月12日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌300mm碳化硅晶圆制造成功,SiC器件产量提升至2.3倍(数据来源:新浪证券,2026年11月12日)

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