IMW120R030M1H 1200V 30mΩ SiC MOSFET 现货供应

Infineon IMW120R030M1H 采用 TO-247-4 封装，定位为1200V 30mΩ SiC MOSFET，主要用于储能PCS、EV主驱逆变器与光伏逆变器等场景。1200V 30mΩ CoolSiC带Kelvin源极封装，开尔文引脚显著降低栅极回路噪声，主驱与储能PCS高频开关首选。。英飞凌宣布在300mm碳化硅晶圆上成功制造功率器件、芯片产量提升至2.3倍；安世称订单完全超额，汽车功率器件供应链瓶颈延续（数据来源：新浪证券与路透社，2026年11月12日）。（数据来源见下方价格趋势与行情说明）

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 电子设备：通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 英飞凌300mm碳化硅晶圆制造成功，SiC器件产量提升至2.3倍（数据来源：新浪证券，2026年11月12日）

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商品特性

• 低导通阻抗，显著降低系统损耗
• 大电流能力，适配电池与电驱系统
• 标准封装，散热与并联设计简单
• 国产替代进程加速，双渠道供货
• 英飞凌300mm碳化硅晶圆制造成功，SiC器件产量提升至2.3倍（数据来源：新浪证券，2026年11月12日）

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