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功率

IPB80N06S4-07 60V 80A 车规MOSFET 7mΩ 现货供应

型号:IPB80N06S4-07 品牌:Infineon 封装:D2PAK 发布时间:2026-10-28
InfineonIPB80N06S4-07采用D2PAK封装,定位为60V80A车规MOSFET7mΩ,主要用于车载配电盒、柴油预热塞与车灯控制等场景。

Infineon IPB80N06S4-07 采用 D2PAK 封装,定位为60V 80A 车规MOSFET 7mΩ,主要用于车载配电盒、柴油预热塞与车灯控制等场景。英飞凌OptiMOS车规级料号,AEC-Q101认证,7mΩ超低导通,车载配电与预热塞用量稳定。英飞凌10月27日宣布投资约11亿欧元建设全球首座300mm GaN功率半导体工厂,2027年底投产,瞄准AI数据中心与新能源汽车;安森美功率器件第二轮涨价生效,交期普遍拉长(数据来源:英飞凌公告与电子元器件日报,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
电压电流60V,80A(Tc=25℃),RDS(on)典型4.5mΩ(10V驱动)
车规认证AEC-Q101 qualified,PPAP可提供
栅极电荷Qg典型80nC
雪崩能力单脉冲雪崩能量EAS 1.1J
封装D2PAK(TO-263),车规产线标准
工作温度Tj最高175℃
应用拓扑高边与低边开关
价格趋势安森美功率器件第二轮涨价生效,交期普遍拉长(数据来源:英飞凌公告与电子元器件日报,2026年10月27日至28日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 汽车电子:车身控制、车载诊断、BMS管理
  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌300mm GaN工厂投资落地,功率器件涨价与扩产并行(数据来源:英飞凌公告,2026年10月27日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌300mm GaN工厂投资落地,功率器件涨价与扩产并行(数据来源:英飞凌公告,2026年10月27日)

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