ST STP4N80K5 采用 TO-220 封装,定位为800V 4A 高压MOSFET,主要用于反激电源主开关、PFC电路与工业照明驱动等场景。4N80K5属于ST的SuperMESH五代平台,800V耐压配低栅极电荷,反激与PFC电路里能显著降低开关损耗,适配器与工业电源客户常备料。英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 漏源电压 | 800V |
| 连续漏极电流 | 4A(25℃) |
| 导通电阻 | 约2.5Ω,10V栅压 |
| 栅极电荷 | 低Qg,开关损耗小 |
| 封装 | TO-220 |
| 工作温度 | -55℃至150℃(结温) |
| 价格趋势 | 英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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