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功率

STP4N80K5 800V 4A 高压MOSFET 现货供应

型号:STP4N80K5 品牌:ST 封装:TO-220 发布时间:2026-10-31
STSTP4N80K5采用TO-220封装,定位为800V4A高压MOSFET,主要用于反激电源主开关、PFC电路与工业照明驱动等场景。

ST STP4N80K5 采用 TO-220 封装,定位为800V 4A 高压MOSFET,主要用于反激电源主开关、PFC电路与工业照明驱动等场景。4N80K5属于ST的SuperMESH五代平台,800V耐压配低栅极电荷,反激与PFC电路里能显著降低开关损耗,适配器与工业电源客户常备料。英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
漏源电压800V
连续漏极电流4A(25℃)
导通电阻约2.5Ω,10V栅压
栅极电荷低Qg,开关损耗小
封装TO-220
工作温度-55℃至150℃(结温)
价格趋势英飞凌判断SiC MOSFET与智能功率器件紧缺态势预计维持2至3年,安森美头部客户仅能拿到七成配额且已有客户提前锁定2028年产能,功率器件已经从比价格转向比配额(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 安森美头部客户仅七成配额,SiC紧缺预计维持2至3年(数据来源:芯闻道,2026年10月30日)

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